ROHM的功率器件产品组合涵盖硅和宽带技术，包括碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，为数据中心设计人员提供了一条战略路径。该公司的硅 MOSFET 已广泛应用于汽车和工业领域，为当今的电源转换需求提供经济高效且可靠的解决方案。它们尤其适用于需要在价格、效率和可靠性之间取得平衡的应用，因此非常适合人工智能基础设施发展的过渡阶段。.
RY7P250BM 就是一个典型的例子。这款 100V 功率 MOSFET 受到全球领先云服务提供商的支持，专为 48V 电源系统中的热插拔电路而设计，是 AI 服务器的关键组件。其主要特性包括一流的安全工作区 (SOA) 性能和超低导通电阻 (1.86 mΩ)，并采用紧凑的 8080 封装。这些特性有助于降低功耗并提高系统可靠性，这对于高密度、高可用性云平台至关重要。随着数据中心从 12V 升级到 48V 及更高电压，热插拔功能对于维持正常运行时间和防止浪涌电流至关重要。.
ROHM 的碳化硅 (SiC) 器件在工业级整流领域表现卓越，损耗极低，这与 NVIDIA 的计划不谋而合。NVIDIA 计划大规模部署其 800V 高压直流 (HVDC) 数据中心架构，为 1MW 及以上的 IT 机架供电。NVIDIA 新基础设施的核心是将电网的 13.8kV 交流电直接转换为 800V 直流电。此举旨在解决传统 54V 机架电源系统效率低下的问题，这些系统受限于物理空间、铜缆架空和转换损耗。.
ROHM 的 SiC MOSFET 在高压、高功率环境下表现出色，通过降低开关损耗和导通损耗来提高效率，增强紧凑型高密度系统的热稳定性，并在关键任务应用中展现出久经考验的可靠性。这些特性与 NVIDIA 的 800V HVDC 架构完美契合，该架构旨在减少铜用量、最大限度地降低功率损耗并简化数据中心的电源转换。.
罗姆公司 (ROHM) 正在推进 EcoGaN™ 品牌下的氮化镓 (GaN) 技术，与碳化硅 (SiC) 技术形成互补。虽然碳化硅更适用于高压、大电流应用，但氮化镓在 100V 至 650V 电压范围内表现出色，具有卓越的击穿场强、低导通电阻和超快开关速度。罗姆全面的 EcoGaN™ 产品组合包括 150V 和 650V GaN HEMT、栅极驱动器和集成功率级 IC。同时，获得专利的 Nano Pulse Control™ 技术通过将脉冲宽度缩短至 2ns，进一步提升了开关性能。这些创新满足了人工智能数据中心对更小、更高效电源系统日益增长的需求。.
除了分立器件外，ROHM 还提供一系列高功率 SiC 模块，包括采用卓越散热性能的模塑封装（例如 HSDIP20），并配备先进的第四代 SiC 芯片。这些 1200V SiC 模块针对 AC-DC 转换器中的 LLC 拓扑结构以及 DC-DC 转换器的初级侧应用进行了优化。它们专为高效率、高密度功率转换而设计，尤其适用于 NVIDIA 架构中设想的集中式电源系统。其强大的散热性能和可扩展性使其成为 800V 母线槽和兆瓦级机架配置的理想之选。.
向 800V 高压直流输电基础设施的过渡是一项协作努力。ROHM 致力于与 NVIDIA 等行业领导者、数据中心运营商和电力系统设计商紧密合作，为下一代人工智能工厂提供所需的基础硅技术。我们在功率半导体，特别是碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽带材料方面的专业知识，使我们成为开发强大解决方案的关键合作伙伴，这些解决方案不仅功能强大，而且有助于构建更可持续、更节能的数字化未来。.
