CGD创始人兼首席执行官Giorgia Longobardi博士评论道： “目前，电动汽车逆变器要么使用IGBT（虽然价格低廉，但在轻载条件下效率较低），要么使用SiC器件（虽然效率很高，但价格昂贵）。我们全新的Combo ICeGaN解决方案将通过智能地结合GaN和硅技术的优势，同时保持低成本和最高效率，从而彻底革新电动汽车行业。这自然意味着更快的充电速度和更长的续航里程。我们已经与领先的电动汽车制造商及其供应链合作伙伴展开合作，将这项技术突破推向市场。”
这项获得专利的Combo ICeGaN方法利用了ICeGaN和IGBT器件可以并联工作的特性，二者驱动电压范围相近（例如0-20V），且栅极稳定性极佳。在工作状态下，ICeGaN开关效率极高，在相对较低的电流（轻载）下表现出较低的导通损耗和开关损耗；而在相对较高的电流（接近满载或过压情况）下，IGBT则占据主导地位。Combo ICeGaN还受益于IGBT的高饱和电流和雪崩钳位能力，以及ICeGaN的高效开关特性。在较高温度下，IGBT的双极型器件会在较低的导通电压下开始导通，从而补偿ICeGaN的电流损耗。相反，在较低温度下，ICeGaN会消耗更多电流。检测和保护功能经过智能管理，可优化驱动ICeGaN Combo，并扩大ICeGaN和IGBT器件的安全工作区（SOA）。.
ICeGaN 技术使电动汽车工程师能够充分利用 GaN 在 DC-DC 转换器、车载充电器以及潜在的牵引逆变器中的优势。Combo ICeGaN 进一步拓展了 CGD 的 GaN 技术在 100kW 以上牵引逆变器这一利润丰厚的市场中的优势。ICeGaN IC 已被证明非常可靠，而 IGBT 在牵引和电动汽车应用领域也拥有悠久而成熟的应用历史。CGD 也测试过类似的、专有的 ICeGaN 器件与 SiC MOSFET 的并联组合，但 Combo ICeGaN（现已在 IEDM）是一种更具成本效益的解决方案。CGD 预计将于今年晚些时候提供 Combo ICeGaN 的实际演示。
CGD创始人兼首席技术官Florin Udrea教授表示：“我在功率器件领域工作了三十年，这是我第一次遇到如此互补的技术组合。ICeGaN速度极快，在轻负载条件下性能卓越，而IGBT在满负载、过压和高温条件下则具有显著优势。ICeGaN提供片上智能，而IGBT提供雪崩容错能力。两者都采用硅衬底，这在成本、基础设施和制造工艺方面都具有优势。”.
