CGD商务总监Andrea Bricconi表示：
“这项协议对CGD而言意义重大，它将助力我们拓展业务，构建GaN生态系统，帮助工程师探索并利用ICeGaN在高压功率转换方面的优势。DigiKey是一个备受尊敬和信赖的品牌，我们相信这项协议将帮助CGD开拓并支持全球新市场。”
米西·霍尔 | DigiKey 新市场开发副总裁
：“我们很高兴将剑桥氮化镓器件公司 (CGD) 纳入我们的 DigiKey 供货计划。通过将 CGD 的 ICeGaN 系列晶体管纳入我们的产品组合，DigiKey 为客户提供了更多节能选择。DigiKey 一直致力于填补客户群的空白，将 CGD 纳入我们的供应商体系，是填补又一个空白，也是迈向卓越创新的又一步。”
CGD近期推出了650V H2系列氮化镓HEMT器件。这些新型器件可采用商用栅极驱动器进行控制，从而降低了设计复杂性。在效率方面，ICeGaN HEMT的栅极损耗(QG)比硅器件低10倍，开关损耗(QOSS)低5倍。这显著降低了开关损耗，实现了业界领先的效率，进而缩小了系统尺寸、重量并降低了成本。H2系列ICeGaN HEMT还采用了CGD的智能栅极接口，有效解决了可靠性和鲁棒性问题，几乎完全消除了GaN在电子模式下的典型缺陷。这些器件具有更高的浪涌抗性、更高的噪声抑制阈值、dV/dt抑制能力和ESD保护功能。.
