此次收购将助力公司持续推进其专有PowiGaN™技术的研发路线图。该技术已应用于公司众多产品系列，包括InnoSwitch™集成电路、HiperPFS™-5功率因数校正IC以及近期推出的InnoMux™-2系列单级多输出IC。公司计划于2023年推出900伏和1250伏版本的PowiGaN技术及产品。Power
Integrations技术副总裁Radu Barsan博士表示： “自2018年开始交付采用PowiGaN技术的产品以来，Power Integrations始终处于GaN技术研发和商业化的前沿。我们正在执行一项雄心勃勃的路线图，其中包括力争实现与硅MOSFET的成本持平，并拓展PowiGaN的电压和功率范围。”我们的目标是实现高性价比、高电流、高电压氮化镓（GaN）技术的商业化，以更低的成本和更高的性能支持目前由碳化硅（SiC）满足的高功率应用需求，这得益于GaN相对于SiC的根本材料优势。Odyssey团队在高电流垂直GaN方面的专业知识将增强并加速这些工作，我们非常高兴地欢迎他们加入我们的团队。”
Odyssey联合创始人兼首席执行官Richard Brown博士补充道： “Odyssey团队和我很高兴加入Power Integrations，加速其GaN技术路线图的推进。作为首家实现高压GaN商业化的公司，Power Integrations在成本、电压和电流方面持续引领行业发展，并在设计充分利用GaN性能的系统级产品方面也处于领先地位。”