自2020年与制造商ROHM建立研发合作伙伴关系以来，Vitesco Technologies与ROHM的合作奠定了基础，并最终在雷根斯堡签署了供货协议。Vitesco Technologies采用ROHM SiC芯片的先进逆变器将被两家客户用于电动汽车动力系统。Vitesco Technologies的首个量产项目最早将于2024年开始供货，比原计划提前。.
“与ROHM的供货协议是确保Vitesco Technologies未来数年碳化硅产能的重要组成部分，” Vitesco Technologies首席执行官Andreas Wolf在雷根斯堡的签约仪式上表示。 “迄今为止，我们在研发合作方面取得了非常积极的成果，我们期待不仅继续合作，而且进一步深化合作，”Wolf补充道。
“在快速增长的汽车市场中，碳化硅是提高效率的先决条件。预计市场份额将超过30%，我们拥有非常有利的地位，并且已经与Vitesco Technologies建立了战略合作伙伴关系，以进一步渗透市场，”ROHM株式会社董事会成员、首席执行官兼首席财务官井野和秀博士在签约仪式上表示。
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碳化硅属于所谓的宽带隙半导体，其宽带隙（简单来说，就是材料中电子非导电态和导电态之间的能量差）使其具有更低的电阻，并可用于制造快速、低损耗的电力电子开关芯片。同时，碳化硅芯片具有更高的耐热性，因此可以提高电子器件的功率密度。
由于这些特性，碳化硅（SiC）电子器件相比传统的硅（Si）器件，转换损耗更低。尤其是在800V等高电压下，SiC逆变器的效率高于Si逆变器。由于800V是实现快速便捷高压充电的先决条件，SiC器件在全球范围内正经历着蓬勃发展。降低逆变器中的转换损耗对于提高整体导电效率以及延长续航时间也至关重要。因此，采用这种高科技材料制成的器件在容量方面竞争激烈。.
