英飞凌在此诉讼中的意图也令人质疑，因为它主张的专利存在重大缺陷。特别是，即使只是粗略地审查一下英飞凌的专利组合，也会发现其所主张专利中所谓的“发明”早已在英飞凌的现有技术专利中公开，这令人担忧其可能在美国专利商标局存在欺诈行为，例如，在处理这项存在缺陷的专利时，未进行适当的信息披露。.

此外，与英飞凌错误地声称涉嫌缺陷专利中的权利要求“涵盖氮化镓功率半导体的核心方面”相反，该诉讼仅涉及Innoscience公司一小部分高压（650V-700V）封装氮化镓晶体管，并不影响其绝大多数其他产品（包括未封装的晶体管和晶圆、低压晶体管以及某些封装晶体管）。因此，该诉讼对Innoscience公司目前在美国为客户生产、使用、销售、要约销售或进口其产品的能力几乎没有影响。.

Innoscience尊重他人的合法知识产权，并致力于发展自身的知识产权组合。尽管成立仅八年，Innoscience已在全球范围内提交了800多项专利申请。Innoscience的研发团队由遍布全球的500多名技术专家组成。通过持续创新，Innoscience生产的GaN器件已应用于从电源适配器到数据中心和智能手机等众多产品，充分展现了其顺应不断变化的应用需求并适应不同客户规格的能力。.

此外，Innoscience始终秉持合作共赢的理念，致力于发展全球氮化镓产业，包括与业内其他公司开展合作。Innoscience旨在满足日益增长的市场需求，并致力于成为客户值得信赖的合作伙伴，通过提供基于Innoscience卓越专有技术的多功能世界级产品和解决方案，助力客户取得成功。.