此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。收购完成后，瑞萨电子将获得其专有的氮化镓（GaN）技术，这是一种关键的下一代功率半导体材料，有助于瑞萨电子拓展其在电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电源转换以及快速充电器/适配器等快速增长市场的份额。

高效电源系统的需求日益增长，成为实现碳中和的关键要素。为了应对这一趋势，业界正在向宽带隙（WBG）材料转型，碳化硅（SiC）便是其中的代表。与传统的硅基器件相比，这些先进材料能够实现更宽的开关电压和频率范围。为了抓住这一发展势头，瑞萨电子宣布将建立自己的SiC生产线，并签署了一份为期10年的SiC晶圆供应协议。瑞萨电子的目标是借助

Transphorm在氮化镓（GaN）领域的专业知识，进一步扩展其WBG产品组合。氮化镓是一种新兴材料，能够实现更高的开关频率、更低的功率损耗和更小的尺寸。这些优势能够提升客户系统的效率，使其体积更小、重量更轻，并降低总体成本。因此，据一项行业研究预测，GaN的需求量预计将以每年超过50%的速度增长。瑞萨电子将采用Transphorm公司自主认证的GaN技术，开发新型增强型电源解决方案，例如用于电动汽车的X-in-1动力总成解决方案，以及应用于计算、能源、工业和消费电子等领域的解决方案。