ROHM于2022年开始量产其150V GaN HEMT（栅极击穿电压为8V），并于2023年3月开发出控制IC技术，以最大限度地发挥GaN的性能。如今，ROHM已开发出市场领先的650V GaN HEMT，有助于在更广泛的电源系统中实现更高的效率和更小的尺寸。.
GNP1070TC-Z 和 GNP1150TCA-Z 在 RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss 方面具有业界领先的性能，这是 GaN HEMT 的关键性能指标，从而提高了电源系统的效率。同时，集成的 ESD 保护元件将静电击穿电压提升至 3.5 kV，从而提高了应用可靠性。GaN HEMT 的高速开关特性也有助于进一步缩小外围元件的尺寸。.
ROHM 通过其 EcoGaN™ 系列氮化镓器件不断提升器件性能，从而在应用中实现更高的节能效果和更小的尺寸化。在开发 ROHM 产品的同时，我们也通过战略合作伙伴关系促进合作开发，以期通过提高应用的效率和紧凑性来应对社会挑战。.
EcoGaN™
是 ROHM 的全新 GaN 器件系列，通过最大限度地发挥 GaN 的特性，致力于实现节能和小型化，从而降低应用中的能耗，缩小外围组件尺寸，简化设计，减少所需零件数量。
产品系列
应用示例：
适用于工业设备和消费电子设备中的各种电源系统，包括服务器和交流适配器。
安科拉半导体公司
是台达电子的子公司，台达电子是一家全球领先的热管理和能源管理解决方案供应商。安科拉成立于2022年7月，专注于氮化镓器件和技术的研发。
GaN HEMT
术语：
GaN（氮化镓）是一种用于下一代功率器件的化合物半导体材料。由于其优异的性能（例如出色的高频特性）优于硅，因此其应用日益广泛。HEMT
代表高电子迁移率晶体管。
RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss
是用于评估开关性能的指标，其中 Ciss 指的是输入侧的总电容，Coss 指的是输出侧的总电容。
该值越低，开关速度越快，开关损耗越低。
静电放电 (ESD)
是指带电物体（例如人体和电子设备）接触时产生的过电压。这种过电压会导致电路和设备运行异常甚至损坏。
