碳化硅（SiC）功率器件正日益广泛地应用于车载充电器和直流/直流转换器中。与硅基功率器件（例如IGBT）相比，这些器件具有诸多优势。其中一个关键优势是开关和导通损耗显著降低，并且能够在更高的温度下工作。.

自2017年以来，ROHM和LEADRIVE一直在汽车领域开展合作，并就使用SiC功率器件的应用进行了深入的技术交流。双方将共同建立一个联合研究实验室，专注于使用ROHM裸芯片SiC MOSFET和隔离式栅极驱动器的汽车功率模块和逆变器，这将为两家公司进一步加速开发创新型功率解决方案提供契机。.

“未来几年，采用集成碳化硅芯片的新能源汽车功率模块将成为行业趋势。通过整合全球资源并开展研发，将成熟的碳化硅器件商业化，使我们作为一流汽车制造商拥有竞争优势。”上海利德威科技有限公司总裁兼首席执行官沈杰博士表示，“自利德威成立以来，罗姆一直是我们的重要合作伙伴。此次联合研发实验室的建立将使我们能够深化合作。”沈博士补充道。.

“作为碳化硅（SiC）功率器件的先驱和领先供应商，ROHM 在提供将业界领先的器件技术与集成控制器电路相结合的高质量功率解决方案方面拥有卓越的业绩记录，我们致力于推动碳化硅在电动汽车（xEV）应用中的使用，”ROHM 株式会社董事会成员、公司董事、首席战略官兼功率器件事业部高级总监井野和秀博士补充道。“在开发碳化硅功率器件技术时，了解客户需求和市场趋势至关重要。LEADRIVE 作为汽车行业功率模块和逆变器的制造商，在碳化硅应用研究领域发挥着重要作用。通过这个联合研究实验室，我们可以加强合作，并为以碳化硅为中心的汽车功率解决方案的技术创新做出贡献，”井野博士总结道。.

术语概览：


IGBT（绝缘栅双极型晶体管）
是一种功率晶体管，它结合了 MOSFET 的高速开关特性和双极型晶体管的低导通损耗。

开关损耗和导通损耗：
由于 MOSFET 和 IGBT 等晶体管独特的器件结构，损耗是不可避免的。开关损耗发生在器件导通状态改变时（开关操作期间）。导通损耗是由电流流过器件（导通状态）时的内部电阻分量产生的。

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
是场效应晶体管中最常用的结构。它们通常被用作开关元件。