MOSFET planos y robustos de IR homologados según AEC-Q101
International Rectifier (IR) presenta una familia de MOSFET planos homologados para el automóvil y dirigidos a una amplia variedad de aplicaciones en el Motor de Combustión Interna (Internal Combustion Engine, ICE) para plataformas de vehículos híbridos y totalmente eléctricos.
Entre esta familia de nuevos dispositivos que utilizan la conocida tecnología plana de IR se encuentran los MOSFET de canal N estándar para control de puerta de 55 V y 150 V, así como MOSFET de canal P estándar para control de puerta de -55 V y -100 V indicados para aplicaciones de conmutación en el lado de alto potencial que no necesiten añadir una bomba de carga para el control de puerta. Los MOSFET de canal N para control de puerta con nivel lógico, de 30 V, 55 V y 100 V, simplifican los requisitos para el control de puerta y ayudan a reducir el espacio en la placa así como el número de componentes. Todos los nuevos dispositivos están optimizados para una baja resistencia en conducción (RDS(on)).
Estos dispositivos, homologados según los estándares AEC-Q101, se caracterizan por una lista de materiales respetuosos con el medio ambiente, sin plomo y conformes a RoHS, y forman parte de la iniciativa Zero Defect de IR centrada en el automóvil.
Todos los MOSFET de IR para el automóvil se someten a pruebas dinámicas y estáticas de promediado de dispositivos así como a la inspección visual automatizada de la oblea al 100% dentro de la iniciativa de IR para la calidad en el automóvil que tiene como objetivo lograr cero defectos. La homologación AEC-Q101 exige que no haya una variación superior al 20% de RDS(on) tras 1.000 ciclos de temperatura en pruebas. No obstante, durante las pruebas ampliadas la nueva Lista de Materiales AU de IR ofreció una variación máxima de RDS(on) de tan sólo el 12% para 5.000 ciclos de temperatura, demostrando así la resistencia y la robustez de la Lista de Materiales.
Articulos Electrónica Relacionados
- Samsung producirá de manera ma... Samsung Electronics, Co., Ltd., ha anunciado la producción en masa de los primeras SSD PM853T con NAND de 3 bit capaces de ofrecer el mejor rendimiento del merc...
- JEDEC 5.1 presenta la memoria ... La última versión JEDEC 5.1 define una serie de características nuevas y mejoradas que serán útiles a los diseñadores ...
- Memoria BiCS de 48 capas Toshiba Corporation ha anunciado el desarrollo de la primera memoria flash de 48 capas[1] con estructura de celda apilada de tres dimensiones[2] llamada BiCS, u...
- Memoria Quad I/O™ SuperFlash® ... Microchip anuncia la disponibilidad de un nuevo dispositivo de memoria Quad I/O™ SuperFlash® serie de 1,8V. El SST26WF064C, un dispositivo de 64 Mb y ...
- FET de Sic de 4.ª generación d... Mouser ya tiene en stock los FET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V UF4C y UF4SC de UnitedSiC (ahora Qorvo®). Esta familia de dispositivos de cuarta generaci...
- Los nuevos productos de GaN in... La tecnología de los transistores de efecto de campo (FET) de silicio ha sido la preferida en numerosas aplicaciones de potencia durante décadas. En ese tiempo,...
- Regulador CC/CC mModule de 15A... Linear Technology Corporation presenta el LTM4627, un regulador CC/CC µModule®, 15 A, que incluye las inductancias, los MOSFET y loa componentes adicionales en ...
- Intel y Micron presentan una m... Intel Corporation y Micron Technology, Inc. han presentado la tecnología 3D XPoint™, una memoria no volátil que tiene el potencial de revolucionar cualquier dis...
- Memoria resistente a la radiac... Maxim Integrated Products, Inc. hace que sea fácil de calibrar un sensor médico consumible y supervisar o controlar la reutilización insalubre de productos médi...
- Dispositivo de memoria Flash c... Microchip anuncia un nuevo dispositivo de memoria Flash con acceso paralelo: el SST38VF6401B. El SST38VF6401B es un dispositivo Advanced Multi-Purpose Flash Plu...
- Gama Nexperia de discretos AEC... Nexperia presenta la cartera más amplia de la industria de discretos calificados para automóviles en encapsulados DFN (Discrete Flat No leads) que ahorran espac...
- Primeras celdas de memoria fla... Renesas Electronics ha anunciado el desarrollo exitoso de las primeras celdas de memoria SG-MONOS (Split-Gate Metal-Oxide Nitride Oxide Silicon, Nota 2) que emp...