Esta mais recente adição à gama de semicondutores de potência da Toshiba responde à crescente procura de soluções compactas e energeticamente eficientes em infraestruturas de alta potência.

O ST2000JXH35A incorpora chips IEGT do tipo trincheira recentemente desenvolvidos com uma estrutura de célula otimizada para proporcionar uma elevada capacidade de comutação e um desempenho robusto em curto-circuito. Estas melhorias técnicas permitem que o dispositivo ofereça uma atualização significativa em relação ao ST1700JXH26A da Toshiba, aumentando a tensão de teste de desligamento de 3600 V para 4500 V. Além disso, o produto passou com sucesso os testes de curto-circuito a 4500 V, confirmando a sua adequação para aplicações que exigem uma elevada estabilidade de funcionamento sob cargas elétricas elevadas.

Uma das principais vantagens do ST2000JXH35A é a sua capacidade de otimizar o design de sistemas de alta tensão. Ao adotar este produto com uma tensão nominal de 6500 V, os engenheiros podem reduzir o número de dispositivos ligados em série necessários nas arquiteturas de transmissão de energia CC. Esta redução do número de componentes contribui diretamente para a redução de peso e miniaturização dos projetos dos equipamentos. Consequentemente, estas melhorias ajudam a reduzir os custos de construção e transporte, acrescentando valor às estações conversoras de parques eólicos offshore, onde os custos de instalação e a complexidade logística são significativos.

O produto apresenta um design de encapsulamento por pressão que permite o arrefecimento por ambos os lados e uma estrutura hermeticamente selada para garantir a fiabilidade necessária para o funcionamento industrial a longo prazo. Para além da infraestrutura de transmissão, o ST2000JXH35A possibilita tensões nominais mais elevadas e formatos mais compactos para acionamentos de motores industriais e dispositivos de compensação de potência reativa que estabilizam os sistemas de energia.

A Toshiba planeia continuar a expandir a sua linha de IEGTs de encapsulamento prensado para suportar os avanços na tecnologia de conversores de alta tensão.

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