Outros semicondutores
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A Navitas Semiconductor anunciou uma nova família de módulos de potência de carboneto de silício (SiC) de ultra-alta tensão, concebidos para aplicações de conversão de energia em redes elétricas, sistemas de armazenamento e centros de dados de inteligência artificial.
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A Allegro MicroSystems anunciou a expansão do seu catálogo de componentes para robótica com soluções de gestão de energia de 48 V e sensores de posição de alta precisão, concebidos para melhorar o controlo de movimento em robôs humanoides e outros sistemas de inteligência artificial física (IA Física).
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A StarPower Semiconductor apresentou o MD53HFL120L2S_B20, um módulo de potência baseado em transístores MOSFET de carboneto de silício (SiC), concebido para aplicações de alta tensão nos setores industrial e automóvel. O dispositivo tem uma classificação de 1200 V e 120 A e incorpora uma topologia de meia ponte composta por dois MOSFETs de canal N de SiC ligados em série.
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A Toshiba Electronics Europe expandiu o seu portfólio de semicondutores de potência com o lançamento do IX800FXF2YMS4, um módulo MOSFET duplo de carboneto de silício (SiC) concebido para equipamentos industriais de conversão e controlo de energia. O novo dispositivo incorpora MOSFETs de SiC de terceira geração da Toshiba e apresenta uma tensão nominal dreno-fonte (VDSS) de 3.300 V e uma corrente nominal de dreno CC (ID) de 800 A.
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A Renesas Electronics apresentou o TP65H020G4PLSGBD, um dispositivo GaN de 650 V desenvolvido para sistemas de conversão de energia de alta densidade utilizados em arquiteturas HVDC de 800 V para centros de dados de inteligência artificial.
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A ROHM desenvolveu o RS4P063BPHZG, um MOSFET de 100 V otimizado para funções de segurança e circuitos de proteção automóvel. O novo produto atinge uma SOA (Safe Operation Area) ampla e líder no setor* numa ampla gama de tensão no encapsulamento padrão HPLF5060 (tamanho 5060), amplamente utilizado em aplicações automóveis.
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A ROHM desenvolveu IGBTs de 650 V de 4ª geração, ideais para compressores elétricos e aquecedores de alta tensão no setor automóvel, bem como para inversores em equipamentos industriais. Como produtos de classe 650V de nível automóvel,
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A ROHM desenvolveu uma nova gama de MOSFETs superconectores de 600 V, as séries R60xxXNx e R60xxWNx. Nos setores dos centros de dados e dos equipamentos industriais, a procura de energia continua a aumentar à medida que as cargas de processamento crescem, impulsionando uma forte procura por fontes de alimentação mais eficientes para reduzir tanto o consumo de energia como a geração de calor.
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A Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) apresentou o TPM1R408RH, um MOSFET de potência de canal N de 80 V baseado na mais recente tecnologia de processo U-MOS11-H da empresa. Concebido para fontes de alimentação comutadas industriais de alta eficiência para equipamentos de data center e estações base de comunicação,
A Microchip apresenta o gerador de relógio espacial DSA504RT com seis saídas e tolerância à radiação
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Os sistemas de sincronização de naves espaciais devem fornecer sinais altamente estáveis e precisos para instrumentos de navegação, comunicação e científicos, mesmo quando os sinais GNSS são fracos ou indisponíveis.
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A NOVOSENSE Microelectronics anunciou o lançamento da série SP301H/L, uma família de isoladores digitais de três canais baseada na sua tecnologia patenteada de isolamento capacitivo de terceira geração.
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A Navitas Semiconductor anunciou o lançamento do seu novo encapsulamento UHV-TO-247-4-ISO, estabelecendo um novo padrão para dispositivos de potência discretos de alto desempenho. Com uma distância de fuga de mais de 12 mm entre pinos e um isolamento integrado superior a 6000 V,
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