Na classe dos MOSFET de potência de 600/750 V, os MOSFET de SiC de quarta geração da Qorvo oferecem um desempenho incomparável em termos de valores-chave de resistência de junção e capacitância de saída. Além disso, no encapsulamento TOLL de 5,4 mΩ, estes dispositivos apresentam uma resistência de junção 4 a 10 vezes inferior à dos melhores MOSFETs de silício, MOSFETs de SiC e transístores de GaN da mesma classe. A tensão nominal de 750 V dos MOSFET de SiC é também 100 a 150 volts superior à das tecnologias alternativas, proporcionando uma margem de design significativamente maior para lidar com transitórios de tensão.
Anup Bhalla, engenheiro-chefe da divisão de Dispositivos de Potência da Qorvo, afirmou: "O lançamento dos nossos FETs SiC Gen4 de 5,4 mΩ num encapsulamento TOLL é um passo importante no nosso objetivo de fornecer aos designers um desempenho líder de mercado e múltiplas opções de dispositivos. Os clientes que trabalham em aplicações industriais, em particular, necessitam desta combinação de flexibilidade e design de potência económico."
O encapsulamento TOLL ocupa menos 30% de espaço e, com 2,3 mm, tem metade da altura das alternativas de montagem superficial D2PAK comparáveis. Apesar do tamanho reduzido, as técnicas de fabrico avançadas conseguem uma resistência térmica junção-carcaça líder do setor de 0,1 °C/W. A corrente contínua nominal é de 120 A até uma temperatura da carcaça de 144 °C, enquanto a corrente pulsada nominal é de 588 A durante até 0,5 milissegundos. Combinado com a resistência de pico ultrabaixa e o excelente comportamento térmico transitório, isto resulta numa classificação I²t aproximadamente oito vezes melhor do que a de um MOSFET de silício no mesmo encapsulamento, contribuindo para a robustez e imunidade a sobrecargas transitórias, além de simplificar o projeto. O encapsulamento TOLL também inclui uma ligação de fonte Kelvin para uma comutação fiável de alta velocidade.
Estes FET de SiC de quarta geração aproveitam a configuração de circuito em cascata da Qorvo, na qual um JFET de SiC é combinado com um MOSFET de silício para produzir um dispositivo com todos os benefícios de eficiência da tecnologia de comutação de banda larga e o acionamento de porta mais simples dos MOSFET de silício.
online gratuita FET-Jet™ da Qorvo, que permite a avaliação instantânea da eficiência, perdas dos componentes e aumento da temperatura de junção de peças utilizadas numa ampla variedade de topologias de conversores CA/CC e CC/CC isolados/não isolados. Os dispositivos individuais e em paralelo podem ser comparados sob condições de dissipação de calor especificadas pelo utilizador para determinar uma solução.
