A série é adequada para o controlo de MOSFETs e IGBTs de SiC em aplicações de energia verde e automação industrial, incluindo inversores fotovoltaicos (PV) industriais, sistemas de alimentação ininterrupta (UPS) e estações de carregamento de veículos elétricos (VE), operando em ambientes térmicos severos.

Os três dispositivos da série TLP579xH foram concebidos para controlar dispositivos de potência de pequena a média capacidade, bem como IGBTs. O TLP5791H possui uma corrente de saída de pico de nível alto/baixo (IOLH/IOHL) de -1,0/+1,0 A, com um limite de bloqueio por subtensão (UVLO+) alargado de 9,5 V (máx.), um limite de bloqueio por subtensão (VUVLO-) de 7,5 V (mín.) e uma tensão de histerese UVLO (VUVLOHYS) de 0,5 V (típ.).

Com o TLP5794H, a corrente máxima de saída varia de -6,0/+4,0 A para IOLH/IOHL, com VUVLO+ de 13,5 V (máx.), VUVLO- de 9,5 V (mín.) e VUVLOHYS de 1,5 V (típ.).

O TLP5795H é capaz de fornecer uma corrente de saída de -4,5/+5,3 A para os níveis alto/baixo (IOLH/IOHL), com VUVLO+ de 13,5 V (máx.), VUVLO- de 11,1 V (mín.) e VUVLOHYS de 1,0 V (típ.).

O tempo de propagação apresenta uma baixa dependência da temperatura, permitindo um funcionamento estável dentro do intervalo prático definido pelos equipamentos de automação industrial. Além disso, a série TLP579xH é um dispositivo de saída rail-to-rail que permite características de comutação com uma queda de tensão mínima em relação à tensão de alimentação. Esta capacidade é útil em aplicações que exigem que os circuitos operem a baixas tensões ou processem sinais em toda a gama de tensão de alimentação.

Além disso, a Toshiba melhorou a emissão de luz do díodo emissor de luz (LED) infravermelho de entrada e otimizou o design do elemento recetor de luz (matriz de fotodíodos) do dispositivo em comparação com a linha atual. Estas melhorias aumentam a eficiência de acoplamento ótico do produto, permitindo o seu funcionamento numa gama de temperaturas de -40 °C a +125 °C. A Toshiba também padronizou o tempo de atraso de propagação e o desvio do atraso de propagação dentro desta gama de temperatura de funcionamento.

A série TLP579xH é fornecida num pequeno encapsulamento SO6L, o que contribui para uma maior flexibilidade no posicionamento dos componentes em placas de circuito impresso. Adicionalmente, os novos produtos apresentam uma distância mínima de fuga de 8,0 mm e uma tensão de isolamento de 5000 VRMS, tornando-os adequados para utilização em equipamentos que exijam um elevado desempenho de isolamento.

Para mais informações sobre a série de optoacopladores TLP579xH para drivers de gate, visite o site da Toshiba:
TLP5791H, 
TLP5794H,
TLP5795H. 
A Toshiba continuará a desenvolver e a expandir a sua gama de optoacopladores para aplicações de controlo de gate de MOSFETs e IGBTs em equipamentos industriais, estando previstos novos produtos para o final de 2025.

Para precauções e recomendações de utilização referentes a uma fonte de alimentação com polarização negativa de gate, consulte a nota de aplicação "para acionadores de gate".