Estes módulos são baseados no HybridPACK Drive G1 e oferecem uma maior densidade de potência, mantendo o mesmo tamanho compacto. Os módulos incorporam as tecnologias de chip EDT3 (IGBT de silício) e CoolSiC™ G2 MOSFET de última geração da Infineon para proporcionar um desempenho escalável. Os módulos de potência são fáceis de utilizar e apresentam uma vasta gama de funções avançadas que permitem melhorias no custo do sistema, como opções de integração de sensores e deteção de temperatura no chip. Os módulos HybridPACK Drive G2 oferecem também diversas melhorias de encapsulamento para otimizar o desempenho e prolongar a vida útil do produto.
Os rebites melhorados garantem robustez em toda a gama de temperaturas, e uma placa de base PinFin permite o arrefecimento direto. Os módulos oferecem uma gama de potência até 300 kW nas classes de 750 e 1200 V, condutividade térmica melhorada e elevada durabilidade, sendo ideais para ambientes agressivos. O HybridPACK Drive G2 SiC proporciona uma fiabilidade superior contra a corrosão do óxido de porta e dos raios cósmicos, e reduz as perdas do inversor em dois terços em comparação com as soluções IGBT de última geração.
