As aplicações que utilizam a tecnologia SiC vão desde veículos elétricos e postos de carregamento até redes inteligentes e sistemas de energia para a indústria e a aviação. A Microchip Technology Inc. anunciou a expansão do seu portfólio de módulos de potência SiC . Juntamente com a sua vasta gama de microcontroladores e produtos analógicos, a Microchip satisfaz as necessidades de controlo, acionamento e energia de sistemas de alta potência e também fornece soluções de sistema completas aos seus clientes.
A família de módulos de potência SiC da Microchip é composta por díodos Schottky (SBDs) disponíveis nas versões de 700V, 1200V e 1700V. Esta nova família inclui diversas topologias, como díodo duplo, ponte completa, ramificação de fase, cátodo comum duplo e ponte trifásica, bem como várias opções de corrente e encapsulamento. A incorporação de módulos SiC SBD simplifica os projetos ao integrar múltiplos díodos SiC com a capacidade de combinar e adaptar o substrato e o material da placa-mãe num único módulo, maximizando a frequência de comutação, gerando menos calor e permitindo uma menor área de ocupação do sistema.
“A adoção e expansão da tecnologia SiC estão a impulsionar a inovação nos sistemas atuais, e a Microchip está na vanguarda, colaborando com clientes de todos os segmentos e regiões geográficas”, afirmou Leon Gross, vice-presidente da unidade de negócio Discrete Products Group da Microchip. “O nosso foco continua a ser fornecer soluções fiáveis e inovadoras. Desde a definição do produto até ao lançamento, a nossa tecnologia SiC oferece níveis superiores de fiabilidade e robustez, ajudando os designers de sistemas de energia a garantir uma longa vida útil para as suas aplicações sem degradação do desempenho.”
O portfólio flexível de módulos SiC SBD de 700, 1200 e 1700 V utiliza a mais recente geração de SiC da Microchip, maximizando a fiabilidade e a robustez do sistema, ao mesmo tempo que permite uma vida útil estável e longa para a aplicação. O elevado desempenho de avalanche dos dispositivos significa que os designers de sistemas necessitam de menos circuitos snubber, e a estabilidade estrutural do díodo permite que os projetos utilizem o díodo interno sem degradação a longo prazo.
Testes realizados pela Microchip e por terceiros, juntamente com estimativas críticas de fiabilidade, demonstraram que o desempenho dos dispositivos da Microchip é superior ao de outros dispositivos de SiC.
Ferramentas de desenvolvimento
Os projetos de referência e as placas paracorreção do fator de potência trifásico de 30 kW de Viena, módulos discretos de SiC e SP3/SP6LI oferecem aos desenvolvedores de sistemas as ferramentas necessárias para ajudá-los a reduzir os tempos de desenvolvimento.
Disponibilidade:
Os módulos de potência SiC SBD de 700, 1200 e 1700 V já estão disponíveis para encomenda. Todo o catálogo de SiC é suportado pelos modelos SiC SPICE, projetos de referência para placas de controlo SiC e um projeto de referência Vienna para correção do fator de potência. Os produtos SiC da Microchip estão disponíveis em produção, juntamente com os produtos de suporte associados. Os MOSFETs e os díodos SiC são oferecidos em diversos formatos de chip e encapsulamento.
