Além disso, ao aumentar a temperatura máxima de sobrecarga permitida na junção para 175 °C, é possível obter um aumento significativo da densidade de potência.
O IGBT7 TRENCHSTOP™ de 1200 V está disponível em vários módulos: o EasyPIM™ 1B de 1200 V, com opções de PIM (Módulo Integrado de Potência) de entrada trifásica a 10 A e 25 A; o EasyPACK™ 2B de 1200 V em pacote com seis módulos IGBT; e o pacote com seis módulos IGBT de 100 A. Os novos módulos foram concebidos com a mesma pinagem dos módulos IGBT4 TRENCHSTOP, ajudando os engenheiros de projeto a reduzir o esforço necessário para os seus projetos. Os novos módulos também estão disponíveis com uma corrente de saída mais elevada no mesmo encapsulamento ou com uma corrente de saída semelhante num encapsulamento mais pequeno, resultando em projetos de inversores mais compactos quando necessário. Todos os tipos de módulos estão equipados com a fiável tecnologia de montagem PressFit da Infineon, que garante uma baixa resistência óhmica e um tempo de processamento reduzido.
As principais vantagens do IGBT7 TRUNCHSTOP™ incluem:
• Baixas perdas: A nova tecnologia de chip apresenta perdas significativamente menores com Vce(sat) otimizado e baixo.
• dv/dt otimizado para 2–8 kV/µs, ideal para aplicações de drivers.
• Desempenho em curto-circuito otimizado; 8 µs a 150 °C são suficientes para aplicações de drivers.
• O driver de gate é mais simples e otimizado para o condicionamento da aplicação. Apenas é necessário um resistor de gate para o controlo.
• Tvjop aumentado até 175 °C, aumentando a densidade de potência.
• VCE(sat) líder da categoria.
• Funcionamento a 175 °C sob sobrecarga.
• Controlo melhorado otimizado para aplicações de drivers.
• Maior densidade de potência: A mesma potência num encapsulamento 35% inferior.
Os módulos IGBT7 TRUNCHSTOP™ de 1200 V da Infineon e o díodo controlado por emissor EC7 estão disponíveis na Farnell na Europa.
