Os módulos VS-SF50LA120 , VS-SF50SA120 , VS-SF100SA120 , VS-SF150SA120 e VS-SF200SA120 da Vishay Semiconductors incorporam a mais recente geração de MOSFETs de carboneto de silício (SiC) da Vishay na embalagem SOT-227 padrão da indústria.
Disponível em configurações de interruptor único e chopper de baixa tensão, cada módulo de potência apresenta um MOSFET de SiC integrado com um díodo de corpo flexível que oferece uma baixa recuperação inversa. Isto resulta em menores perdas de comutação e maior eficiência nos inversores solares; carregadores de veículos elétricos (VE) fora da rede; fontes de alimentação comutada (SMPS), conversores CC/CC, sistemas UPS e AVAC; sistemas de armazenamento de baterias de grande escala; e fontes de alimentação para telecomunicações.
O encapsulamento compacto SOT-227 dos modelos VS-SF50LA120, VS-SF50SA120, VS-SF100SA120, VS-SF150SA120 e VS-SF200SA120 permite que estes dispositivos sejam utilizados como substitutos diretos de soluções concorrentes em projetos existentes, possibilitando aos projetistas adotar uma das mais recentes tecnologias de SiC sem a necessidade de modificar o projeto da placa de circuito impresso. Além disso, o encapsulamento moldado oferece um isolamento elétrico até 2500 V durante um minuto, reduzindo os custos ao eliminar a necessidade de isolamento adicional entre o componente e o dissipador de calor.
Os módulos de potência fornecem uma corrente de drenagem contínua de 50 A a 200 A e uma baixa resistência de condução até 12,1 mΩ. Os dispositivos são compatíveis com RoHS, oferecem comutação de alta velocidade com baixa capacitância e suportam uma temperatura máxima de junção elevada de +175 °C.
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