Os dois novos MOSFET de potência utilizam díodos intrínsecos de alta velocidade para melhorar as características críticas de recuperação inversa, otimizando as aplicações em circuitos de ponte e inversores. Comparativamente aos produtos DTMOS VI standard, o TK042N65Z5 e o TK095N65Z5 conseguem uma redução de 65% no tempo de recuperação inversa (t_{_rr}), com valores de 160 ns e 115 ns, respetivamente. Em comparação com os MOSFET padrão da Toshiba, os novos produtos reduzem a carga de recuperação inversa (Q_{_rr}) em 88% e a corrente de corte do dreno a alta temperatura até 90% (TK042N65Z5).

Além disso, o principal parâmetro de mérito (FoM) de "resistência dreno-fonte On × carga dreno-porta" (R_{_DS(ON)} * Q_gd) foi reduzido em aproximadamente 72% em comparação com o TK62N60W5 atual da Toshiba. Estas melhorias significativas reduzem as perdas de energia no equipamento, aumentando assim a eficiência. Por exemplo, num circuito LLC de 1,5 kW, o TK042N65Z5 apresenta uma melhoria de aproximadamente 0,4% na eficiência da fonte de alimentação em comparação com o TK62N60W5 anterior.

Os novos TK042N65Z5 e TK095N65Z5 apresentam_RDS(ON) de 42 mΩ e 95 mΩ, respetivamente. São capazes de fornecer correntes de drenagem (ID₎até 55 A e 29 A. Ambos os dispositivos estão encapsulados num pequeno encapsulamento TO-247.

Um novo projeto de referência para uma fonte de alimentação de servidor melhorada de 1,6 kW baseada no novo dispositivo TK095N65Z5 já está disponível. A Toshiba também oferece ferramentas de design de circuitos para fontes de alimentação comutada. Para além do modelo SPICE G0, que verifica rapidamente o funcionamento do circuito, já estão disponíveis os modelos SPICE G2 de alta precisão, que reproduzem com exactidão as características transitórias.

Para além dos produtos DTMOS VI de 650 V e 600 V já lançados, a Toshiba continuará a expandir a sua gama DTMOS VI com díodos de alta velocidade para melhorar a eficiência das fontes de alimentação comutada, contribuindo assim para a poupança de energia.