Estas características tornam os dispositivos ideais para o controlo de motores, fontes de alimentação, sistemas de energia renovável e outras aplicações de alta potência. A linha inclui também MOSFETs de aplicação específica (ASFETs) concebidos para funções de troca a quente em servidores de IA. Com opções de arrefecimento superior e inferior, estes MOSFETs CCPAK oferecem uma elevada densidade de potência e soluções fiáveis. Todos os dispositivos possuem registo JEDEC e datasheets interativos Nexperia para uma integração perfeita.
O PSMN1R0-100ASF de referência é um MOSFET de potência de 0,99 mΩ e 100 V capaz de acionar 460 A e dissipar 1,55 kW de potência, mas num encapsulamento CCPAK1212 que ocupa apenas 12 mm x 12 mm de espaço na placa. O PSMN1R0-100CSF oferece especificações semelhantes numa versão com arrefecimento superior.
O segredo deste desempenho impressionante reside na construção interna dos dispositivos. O "CC" em CCPAK1212 significa "clip de cobre", indicando que o chip de silício do MOSFET de potência está intercalado entre duas peças de cobre: o terminal de drenagem de um lado e o terminal de fonte do outro. Ao eliminar completamente as emendas de fios, esta montagem simplificada oferece uma baixa resistência de ligação, indutâncias parasitas reduzidas, elevadas correntes de pico e um excelente desempenho térmico.
Os MOSFETs NextPower CCPAK1212 de 80/100 V são recomendados para aplicações industriais de alta potência onde a elevada eficiência e fiabilidade são essenciais, como o controlo de motores CC sem escovas (BLDC), fontes de alimentação comutada (SMPS), sistemas de gestão de baterias (BMS) e armazenamento de energia renovável. A disponibilidade destes MOSFET de alta potência num único encapsulamento reduz a necessidade de paralelismo, simplificando os projetos e oferecendo soluções mais compactas e económicas.
O anúncio do Nexperia CCPAK1212 inclui também vários novos MOSFETs de aplicação específica (ASFETs) destinados à troca a quente em servidores de IA cada vez mais potentes. Estes dispositivos apresentam uma área de operação segura (SOA) melhorada, proporcionando uma estabilidade térmica superior durante as transições de modo linear.
Em todas estas aplicações, a disponibilidade de opções de arrefecimento superior e inferior oferece aos engenheiros uma seleção de técnicas de extração de calor, especialmente úteis quando a dissipação de calor através da placa de circuito impresso é impraticável devido à sensibilidade de outros componentes.
“Apesar de oferecer um desempenho líder de mercado, sabemos que alguns clientes podem hesitar em conceber um encapsulamento relativamente novo”, afirmou Chris Boyce, Director Geral do Grupo de Produtos da Nexperia. “Por esta razão, registámos o CCPAK1212 na organização de normas JEDEC (referência MO-359). Adotámos uma abordagem semelhante quando lançámos o primeiro encapsulamento MOSFET LFPAK há alguns anos e, como resultado, existem agora muitos dispositivos compatíveis disponíveis no mercado. Nunca se está sozinho durante muito tempo quando as inovações acrescentam valor real aos clientes”, concluiu Boyce.
Todos os novos dispositivos MOSFET CCPAK1212 são suportados por uma gama de ferramentas de design avançadas, incluindo modelos de simulação com compensação térmica. As tradicionais fichas técnicas em PDF são complementadas pelas fichas técnicas interativas e fáceis de utilizar da Nexperia, que incorporam agora uma nova função de conversão de gráficos em CSV, permitindo aos engenheiros descarregar, analisar e interpretar os dados por detrás das principais características de cada dispositivo. Isto não só agiliza o processo de projeto, como também aumenta a confiança nas decisões de projeto.
A Nexperia planeia expandir o encapsulamento CCPAK1212 para MOSFETs de potência em todas as gamas de tensão e também para os seus portfólios de produtos qualificados para o setor automóvel, de acordo com a norma AEC-Q101, respondendo assim às exigências em constante mudança dos sistemas da próxima geração com os requisitos de desempenho térmico e de corrente mais exigentes.
