Além disso, o RDS(ON) x QGD, que é o indicador de desempenho do MOSFET, melhora aproximadamente 52%. As aplicações alvo incluem fontes de alimentação comutada de alta eficiência em centros de dados, condicionadores de energia para geradores fotovoltaicos e sistemas de alimentação ininterrupta (UPS).
O novo produto utiliza a popular embalagem TOLL, que apresenta uma ligação Kelvin para o terminal de fonte de sinal. Como resultado, a indutância do fio de fonte tem um impacto menor, reduzindo a oscilação de comutação e melhorando o desempenho de comutação quando o MOSFET opera a altas velocidades de porta. O formato dos pinos garante ligações de soldadura adequadas, aumenta a fiabilidade da montagem e facilita a inspeção visual.
A temperatura máxima do canal (Tch) do novo produto é de 150ºC. A resistência RDS(ON) de 47mΩ é especificada para uma tensão porta-fonte de 10V.
A carga total típica do gate (Qg), a carga do gate-dreno (Qgd) e a capacitância de entrada (Ciss) são de 65 nC, 15 nC e 3680 pF, respetivamente. Estes fatores permitirão que o novo dispositivo comute às velocidades mais rápidas possíveis.
A Toshiba continuará a expandir a sua gama de produtos da série DTMOSVI de 600 V, bem como a série DTMOSVI de 650 V já lançada, para contribuir para a poupança de energia, reduzindo as perdas de potência nas fontes de alimentação comutada.
