Enquanto a linha de MOSFETs SiC de 750 V com classificação AEC-Q101 se destina às necessidades de alta fiabilidade dos sistemas de veículos elétricos (VE), como o carregador de bordo (OBC) e o inversor de tração principal.
O novo MOSFET de αSiC AOM015V75X2Q de 750 V expande a gama de produtos de MOSFETs e díodos de αSiC de segunda geração de 1200 V da AOS, com uma baixa resistência RDS(ON) de até 15 mΩ num encapsulamento TO-247-4L padrão, mantendo uma tensão de acionamento de gate recomendada de +15 V para garantir uma ampla compatibilidade com as soluções de driver de gate existentes.
Ao minimizar a resistência interna do gate e otimizar o design da célula, a AOS concebeu estes dispositivos para oferecer velocidades de comutação ultrarrápidas, totalmente controláveis com um resistor de gate externo. Esta vantagem também se reflete nos parâmetros de mérito (FoM) de comutação padrão, como RON x QGD e RON x QRR, que são melhorados em comparação com as soluções de MOSFET de SiC de 750 V existentes.
Uma das vantagens destes novos MOSFETs de αSiC é o aumento significativo do tempo de resistência a curto-circuito (SCWT) em comparação com os MOSFETs de SiC planares. Para muitas aplicações, especialmente em inversores para veículos elétricos, um SCWT (tempo de vida útil curto-circuitado) mais longo pode melhorar significativamente a robustez do sistema e oferecer aos desenvolvedores uma maior flexibilidade de design. Para atingir um SCWT maior, geralmente é necessário também aumentar consideravelmente o tamanho do chip, o que pode ter impacto nos custos globais do sistema. Nos testes da AOS, estes novos MOSFET de 750 V mantiveram valores de RON x A semelhantes ou inferiores, demonstrando um aumento de mais de 40% no SCWT em comparação com produtos concorrentes de tamanho semelhante.
"Estamos muito entusiasmados por dar continuidade ao sucesso dos nossos MOSFETs de αSiC de 1200 V com estes produtos automóveis de 650 V e 750 V. Os nossos clientes nos setores industrial, de energia renovável e de veículos elétricos inteligentes terão agora um portfólio completo para selecionar a solução ideal que suporte a sua vasta gama de níveis de potência, com um nível ainda mais elevado de desempenho e eficiência", afirmou David Sheridan, Vice-Presidente de Produtos SiC da AOS.
