Maior eficiência a velocidades mais elevadas e densidade de potência do sistema melhorada. Os dispositivos utilizam uma tecnologia exclusiva de FET de SiC em cascata, na qual um JFET de SiC normalmente ligado é encapsulado juntamente com um MOSFET de silício para produzir um FET de SiC normalmente desligado. Os FET reduzem a indutância dos circuitos de ligação internos compactos, o que, juntamente com a ligação de fonte Kelvin incluída, reduz as perdas de comutação, permitindo o funcionamento a frequências mais elevadas e uma densidade de potência do sistema melhorada. Os FET estão otimizados para aplicações como carregadores de bordo, conversores CC/CC comutados por software, carregamento de baterias e fontes de alimentação para servidores/TI.

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