O desempenho e a fiabilidade comprovados da tecnologia GaN fazem dela a escolha ideal para aplicações em infraestruturas, defesa e aeroespaciais, como radares, comunicações, navegação e aplicações similares. A capacidade de desempenho melhorada oferece aos designers a flexibilidade para reduzir o tamanho da placa e os custos do sistema, ao mesmo tempo que melhora o desempenho global.
O Qorvo QPD1025L, disponível na Mouser Electronics, é um transístor de alta mobilidade de eletrões (HEMT) que suporta o funcionamento em onda contínua (CW) e onda pulsada (CW), oferecendo um desempenho comparável ao dos dispositivos LDMOS baseados em silício. Alimentado por uma tensão de 65V, o dispositivo oferece um ganho linear de 22,5dB e uma eficiência energética típica (PAE3dB) de 77,2%. O QPD1025L possui uma pré-entrada interna, simplificando a compatibilidade com placas externas e poupando espaço na placa.
O transístor isento de chumbo e em conformidade com a diretiva RoHS é compatível com a placa de avaliação QPD1025L.
