Por conseguinte, são ideais para unidades de alimentação (PSUs) em infraestruturas de servidores de inteligência artificial (IA) de alto consumo energético, equipamentos de telecomunicações e aplicações de inversores solares.
Estes novos díodos Schottky oferecem um desempenho de topo graças à sua comutação capacitiva independente da temperatura e ao seu comportamento de recuperação zero, proporcionando um índice de mérito excecional (QC x VF). Além disso, exibem um desempenho de comutação praticamente independente das variações de corrente e da velocidade de comutação. A estrutura Schottky PiN fundida (MPS) destes dispositivos oferece vantagens adicionais, tais como uma robustez excecional contra correntes de surto, demonstrada pela sua elevada corrente de pico direta (IFSM). Esta característica reduz a necessidade de circuitos de proteção adicionais, diminuindo significativamente a complexidade do sistema e permitindo aos engenheiros alcançar uma maior eficiência utilizando formatos mais pequenos em aplicações robustas de alta tensão.
O PSC20120J é encapsulado num pacote plástico de potência SMD (montagem à superfície) Real-2-Pin D2PAK R2P (TO-263-2), enquanto o PSC20120L é encapsulado num pacote plástico de potência com furos passantes Real-2-Pin TO-247 R2P (TO-247-2). Estes encapsulamentos termicamente estáveis aumentam a fiabilidade do dispositivo em aplicações de alta tensão com temperaturas de funcionamento até 175 °C. Os designers podem ter ainda mais tranquilidade graças à reputação da Nexperia como fabricante comprovado de produtos semicondutores de alta qualidade numa vasta gama de tecnologias, com o apoio de uma cadeia de abastecimento robusta.
