Produtos em destaque:
Tecnologia SiC – MOSFETs de SiC, Diodos Schottky e Módulos de 3ª Geração.
A nova geração de MOSFETs de SiC da ROHM, utilizando uma estrutura de porta de duplo intervalo proprietária, reduz a resistência em 50% e a capacitância de entrada em 35% para um chip do mesmo tamanho em comparação com os MOSFETs de SiC planares. O seu desempenho ideal é alcançado pela combinação de perdas extremamente baixas com comutação de alta velocidade. Isto resulta numa maior eficiência de conversão, o que contribui para uma maior miniaturização e redução de peso, bem como para um aumento significativo da eficiência energética.
Os díodos Schottky de SiC de terceira geração da ROHM conseguem a menor tensão direta (VF) e corrente de fuga inversa (Ir) em toda a gama de temperaturas entre todos os díodos Schottky atualmente disponíveis. Caracterizam-se também pela capacidade de suportar elevadas sobrecorrentes, tornando-os ideais para aplicações em fontes de alimentação. Para além dos dispositivos TO220AC de 650V/6, 8 e 10A recentemente anunciados, a ROHM vai lançar dispositivos D2pak de 2A e 4A para expandir a família. Entre os novos módulos completos de SiC da ROHM, destaca-se um módulo conversor chopper que integra MOSFETs de trincheira de SiC e díodos Schottky de SiC.
LED
foi concebida para diversas aplicações automóveis, tanto para iluminação interior como exterior. Os faróis LED com feixe alto/baixo, os faróis LED matriciais/pixel e os indicadores de mudança de direção sequenciais dinâmicos representam os mais recentes avanços em iluminação exterior. A empresa também fornece drivers LED para farolins e luzes diurnas. Vários exemplos de aplicação demonstram as suas vantagens, incluindo uma demonstração de feixe alto/baixo, um exemplo de luz diurna, um farol matricial e dois drivers matriciais diferentes para um sistema de indicadores de mudança de direção sequenciais (um driver matricial independente e um driver matricial com microcontrolador).
Kit de design de média potência para aplicações de carregamento sem fios em colaboração com a Würth Elektronik.
O interesse pela tecnologia de energia sem fios está a crescer rapidamente, uma vez que oferece uma forma simples, prática, fiável e segura de carregar e alimentar dispositivos eletrónicos, como telemóveis e outros dispositivos portáteis, em casa, no carro e no trabalho. A ROHM Semiconductor é líder em tecnologia com uma família abrangente de produtos orientados para aplicações de baixa e média potência com soluções baseadas no standard Qi. Como demonstração das suas soluções de média potência com certificação Qi, a ROHM, em colaboração com a Würth Elektronik, oferece um kit de design que demonstra as vantagens do carregamento sem fios. Este kit oferece aos engenheiros a oportunidade de testar e integrar soluções de energia sem fios nas suas aplicações e acelerar a adoção desta nova tecnologia em aplicações de energia. O kit foi concebido de acordo com a especificação Qi 1.2 do Wireless Power Consortium (WPC), a norma da próxima geração para uma transmissão de energia indutiva rápida e segura.
Acordo Tecnológico com a Venturi Fórmula E:
Após o recente acordo técnico anunciado com a Venturi, participante no campeonato FIA de Fórmula E para carros de corrida monolugares totalmente elétricos, a ROHM apresentará o carro e o seu inversor como exemplo de aplicação para demonstrar os avanços na mobilidade elétrica. De acordo com os termos do acordo, o carro elétrico da Venturi incorporará dispositivos de SiC. A partir da terceira temporada, este veículo incluirá díodos Schottky de SiC fabricados pela ROHM no seu sistema inversor. O objetivo é melhorar significativamente o desempenho do sistema de propulsão, aproveitando as características do SiC para melhorar a eficiência energética e aumentar a densidade de potência.
