ANDREA BRICCONI | DIRECTORA COMERCIAL, CGD
"Este acordo é um passo importante para a CGD, à medida que expandimos o nosso negócio e construímos um ecossistema GaN que ajudará os engenheiros a explorar e utilizar os benefícios do ICeGaN para a conversão de energia de alta tensão. A DigiKey é uma marca altamente respeitada e fiável, e estamos confiantes de que este acordo permitirá à CGD penetrar e apoiar novos mercados em todo o mundo."
MISSY HALL | VICE-PRESIDENTE DE DESENVOLVIMENTO DE NOVOS MERCADOS, DIGIKEY
"Temos o prazer de adicionar a Cambridge GaN Devices (CGD) ao nosso programa Fulfilled by DigiKey. Ao incluir os transístores da série ICeGaN da CGD no nosso portefólio, a DigiKey oferece aos nossos clientes ainda mais opções de eficiência energética. A DigiKey está sempre à procura de preencher lacunas na nossa base de clientes, e a adição da CGD à nossa comunidade de fornecedores é mais uma lacuna preenchida e mais um passo em direção à inovação."
A CGD lançou recentemente a sua família de HEMTs de nitreto de gálio (GaN) da série H2 de 650V. Estes novos componentes reduzem a complexidade do projeto, uma vez que podem ser controlados com drivers de gate disponíveis comercialmente. Em termos de eficiência, os HEMTs ICeGaN oferecem um QG 10 vezes inferior aos componentes de silício e um QOSS 5 vezes inferior. Isto reduz significativamente as perdas de comutação, possibilitando níveis de eficiência líderes no setor, que se traduzem numa redução do tamanho, peso e custo do sistema. Os HEMTs ICeGaN da série H2 também abordam questões de fiabilidade e robustez, empregando a interface de gate inteligente da CGD, que praticamente elimina as fragilidades típicas do GaN no modo eletrónico. Os dispositivos apresentam uma maior resistência aos picos, um limiar de imunidade ao ruído mais elevado, supressão de dV/dt e proteção contra ESD.
