Este é o maior investimento da empresa até à data para expandir a sua capacidade de produção de carboneto de silício e GaN no segmento de carboneto de silício. Após a conclusão, prevista para 2024, a instalação aumentará substancialmente a capacidade de produção de carboneto de silício e de fabrico de wafers da empresa, possibilitando soluções de semicondutores de elevada largura de banda que vão ao encontro das drásticas mudanças tecnológicas em curso nos mercados automóvel, das comunicações e industrial.
“Continuamos a observar um forte interesse dos setores automóvel e das infraestruturas de comunicações em aproveitar os benefícios do carboneto de silício para impulsionar a inovação. No entanto, a procura de carboneto de silício há muito que supera a oferta disponível. Hoje, anunciamos o nosso maior investimento na produção até à data, para aumentar drasticamente esta oferta e ajudar os clientes a lançar produtos e serviços transformadores no mercado”, disse Gregg Lowe, CEO da Cree. “Este investimento em equipamentos, infraestruturas e mão-de-obra é capaz de aumentar a nossa capacidade de fabrico de wafers de carboneto de silício até 30 vezes e a nossa produção de materiais até 30 vezes, em comparação com o primeiro trimestre de 2017, quando iniciámos a primeira fase de expansão da capacidade. Acreditamos que isto nos permitirá satisfazer o crescimento previsto da procura de dispositivos e materiais de carboneto de silício Wolfspeed nos próximos cinco anos e mais além.”.
