Esta sexta geração de memória Flash 3D destaca-se pela sua arquitetura avançada, que vai além do arranjo de memória escalonado convencional de 8 níveis e atinge uma densidade até 10% maior nos arranjos de células laterais em comparação com a tecnologia de quinta geração. Este avanço na escalabilidade lateral, juntamente com as 162 camadas empilhadas de memória vertical, resulta numa redução de 40% no tamanho do arranjo em comparação com a tecnologia de empilhamento de 112 camadas, otimizando assim os custos.
As equipas da KIOXIA e da Western Digital implementaram também a localização CMOS sob o chip e a operação em quatro planos; estas decisões, combinadas, resultam numa melhoria de quase 2,4 vezes no desempenho do programa e numa melhoria de 10% na latência de leitura em comparação com a geração anterior. O desempenho de E/S também foi melhorado em 66%, permitindo que esta interface de última geração suporte a crescente procura por taxas de transferência mais rápidas.
De um modo geral, a nova tecnologia de memória Flash 3D reduz o custo por bit e aumenta o número de bits fabricados por wafer em 70%, em comparação com a geração anterior. A KIOXIA e a Western Digital continuam a impulsionar a inovação para garantir uma escalabilidade contínua que vá ao encontro das necessidades dos clientes e das suas diversas aplicações.
