A gama de MOSFETs de potência "superjunction" FET de 650 V da D3 Semiconductor, agora disponível na Mouser Electronics, foi concebida com a tecnologia exclusiva superjunction +FET™ da empresa, uma abordagem inovadora que combina a potência e a eficiência das arquiteturas superjunction com a precisão de sinais mistos. Para um máximo desempenho e fiabilidade, cada MOSFET de potência superjunction +FET do portefólio da D3 Semiconductor é direcionado para uma tensão de 650V, ajudando a melhorar a densidade de potência em aplicações que tradicionalmente utilizam IGBTs, como inversores e acionadores de motores.
Os MOSFET de potência Superjunction + FET apresentam uma resistência de estado ligado (RDS-ON) ultrabaixa, que varia entre 32 miliohms e 1000 miliohms, para um desempenho melhorado em aplicações de baixa frequência, bem como capacidades de comutação rápida que permitem que os dispositivos operem com transferências de carga de porta rápidas num curto espaço de tempo. Cada dispositivo da família é também 100% testado contra avalanches nos níveis de corrente de avalanche mais elevados do setor durante a produção, para garantir a solução mais robusta mesmo para as aplicações mais exigentes. Os dispositivos também cumprem a norma JESD 22 para desempenho de descarga eletrostática (ESD) e são testados em polarização inversa de alta temperatura (HTRB) durante mais de 3.000 horas.
