Os circuitos integrados eGaN e os transístores de efeito de campo (FETs) da EPC oferecem um desempenho significativamente superior aos melhores transístores de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFETs) de silício (Si) em aplicações como conversores CC-CC, tecnologias de deteção remota como deteção e localização por luz (LiDAR), controlo de motores para mobilidade elétrica, robótica e drones, entre outras aplicações.
O objetivo do acordo é alargar o acesso à tecnologia GaN a engenheiros de todo o mundo e acelerar a adoção de soluções energéticas de alta eficiência.
“Este acordo global com a Mouser faz parte da nossa estratégia de distribuição para chegar a mais engenheiros que queiram implementar os seus projetos com o GaN devido às suas vantagens em relação ao silício”, disse Nick Cataldo, vice-presidente sénior de vendas e marketing da EPC. “A Mouser tem um alcance global fantástico e é um prazer estabelecer uma parceria com uma empresa tão dinâmica.”.
“A gama de soluções energéticas de alto desempenho da EPC complementa na perfeição o nosso portefólio de marcas e satisfaz as necessidades dos nossos clientes”, afirmou Heather McGriff, vice-presidente de gestão de fornecedores da Mouser. “É um prazer construir uma relação a longo prazo e oferecer estas tecnologias inovadoras à comunidade de engenharia global.”.
O EPC2302, agora disponível na Mouser, é um transístor de potência eGaN de 100 V com uma resistência máxima de condução dreno-fonte (RDS(on)) de 1,8 mΩ num encapsulamento QFN (quad flat terminalless) de baixa indutância, com dimensões de 3 × 5 mm. A sua superfície superior exposta garante uma excelente gestão térmica. Foi concebido para aplicações de conversão CC-CC de alta frequência (40-60 V) e drivers de motores BLDC (brushless DC) de 48 V. A superfície superior exposta melhora a gestão térmica, e as arestas molháveis lateralmente garantem que toda a superfície do pad lateral é humedecida com solda durante a refusão, protegendo o cobre e permitindo a soldadura nessa aresta exterior para facilitar a inspeção ótica. A capacitância ultrabaixa e a corrente de recuperação inversa nula do FET eGaN garantem um funcionamento eficiente em diversas topologias. O desempenho é ainda melhorado graças ao encapsulamento compacto de baixa indutância.
O transístor de potência eGaN EPC2304 foi concebido para aplicações que requerem uma frequência de comutação ultra-elevada e um tempo de ativação reduzido, bem como para aplicações onde as perdas no estado ligado são significativas. É ideal para drivers de motores, áudio Classe D, transmissão de energia sem fios e conversores de correção do fator de potência (PFC). O EPC2304 é oferecido num encapsulamento QFN de 3 × 5 mm com dissipação térmica otimizada, com a parte superior exposta e resistência térmica ultrabaixa para manter temperaturas de funcionamento mais baixas. O encapsulamento também possui arestas molháveis para facilitar a montagem e a inspeção.
O circuito integrado de estágio de potência EPC23102 ePower™ inclui uma interface lógica de entrada, offset de nível de alta tensão, carga síncrona bootstrap e drivers de gate, juntamente com FETs de saída eGaN, num único encapsulamento QFN monolítico com nível de sensibilidade à humidade 1 (MSL1). Isto é possível graças à tecnologia proprietária de circuitos integrados GaN da EPC. O resultado é um circuito integrado de estágio de potência que traduz os sinais de controlo de nível lógico num estágio de potência de alta tensão e alta corrente, mais fácil de projetar, mais pequeno e mais fácil de fabricar, além de oferecer um funcionamento mais eficiente. Este dispositivo é ideal para inversores de acionamento de motores, amplificadores de áudio Classe D, conversores LLC de meia ponte e ponte completa, e muitas outras aplicações.
O EPC2305 é um transístor de potência eGaN de 150 V que reduz as perdas de comutação e de acionamento de gate em comparação com os melhores MOSFETs de silício, permitindo uma maior densidade de potência graças à sua eficiência melhorada, tamanho reduzido e maior frequência de comutação. Isto possibilita o uso de indutores mais pequenos e menos condensadores. As aplicações típicas do EPC2305 incluem telemóveis, computadores portáteis, PCs gaming, ferramentas elétricas, robótica doméstica, veículos elétricos e sistemas de energia solar.
