Nos termos deste acordo, a Mouser irá oferecer aos clientes a gama de circuitos integrados de potência GaNFast™ e GaNSense™ da Navitas, bem como a gama GeneSiC™ de MOSFETs de potência e díodos de SiC. Estes semicondutores de alta eficiência permitem um desempenho a alta frequência para aplicações como veículos elétricos, dispositivos de carregamento rápido, eletrónica de consumo, energia alternativa e soluções industriais.
“A Mouser está entusiasmada por adicionar este forte líder do setor ao nosso portefólio e oferecer estes dispositivos de energia inovadores aos nossos clientes”, afirma Kristin Schuetter, vice-presidente de gestão de fornecedores da Mouser. “Os engenheiros de projeto têm agora fácil acesso aos componentes avançados da Navitas, com o apoio do serviço ao cliente incomparável e da logística de classe mundial da Mouser. Esperamos que esta parceria seja um grande sucesso.”.
“A adição dos produtos GaNFast ao portefólio existente da GeneSiC alarga significativamente o conhecimento, o interesse e, consequentemente, a receita da Navitas através da plataforma de distribuição robusta e altamente eficaz da Mouser”, afirma David Carroll, vice-presidente sénior de vendas internacionais da Navitas Semiconductor. “Os produtos de última geração, a facilidade de utilização, a disponibilidade imediata e o excelente apoio técnico permitem aos designers de sistemas de energia entregar rapidamente protótipos de alta qualidade, tanto de SiC como de GaN, dentro do prazo e prontos para a produção em massa.”.
Os circuitos integrados de potência GaNFast permitem frequências de comutação seis vezes superiores às soluções discretas de GaN, resultando numa maior poupança de energia do sistema e numa redução do tamanho e do peso. Os circuitos integrados de potência GaNFast são fáceis de utilizar e compatíveis com uma vasta gama de topologias e controladores populares. Integram monolíticamente potência, acionamento e controlo de GaN para criar um elemento essencial, fácil de utilizar, de alta velocidade e alto desempenho, com entrada digital e saída de energia. Os circuitos integrados de potência GaNFast permitem um carregamento até três vezes mais rápido com metade do tamanho e peso da eletrónica de potência tradicional baseada em silício, ou três vezes a potência de saída sem aumentar o tamanho ou o peso.
Os circuitos integrados de potência GaNFast com tecnologia GaNSense integram circuitos críticos de deteção e proteção autónomos em tempo real, que melhoram ainda mais a fiabilidade e robustez líderes do setor da Navitas. Estas soluções revolucionárias em encapsulamento único reduzem o número de componentes e a área ocupada em comparação com os sistemas discretos existentes, diminuindo o custo, o tamanho, o peso e a complexidade do sistema. Com uma gama de tensão de alimentação de 5,5 a 24 V, os circuitos integrados de potência GaNFast são ideais para uma vasta gama de aplicações empresariais e de consumo.
A família de circuitos integrados de potência GaNFast oferece múltiplas vantagens em termos de eficiência e fiabilidade em encapsulamentos PQFN standard, fáceis de utilizar, de baixo perfil e baixa indutância. Estes dispositivos aceleram a prototipagem e a geração de receitas, sendo concebidos para viabilizar a próxima geração de topologias comutadas por software, ao mesmo tempo que maximizam as capacidades de comutação de alta velocidade (MHz+) do GaN. Estes dispositivos altamente eficientes são ideais para aplicações móveis e de data center, bem como para acionamentos de motores industriais.
