"Estamos muito satisfeitos por adicionar a Transphorm ao nosso portefólio de produtos de alta potência", afirma Kristin Schuetter, vice-presidente de gestão de fornecedores da Mouser. "As plataformas de avaliação inovadoras e os transístores GaN de alto desempenho da Transphorm beneficiam enormemente os designers e fabricantes que desenvolvem aplicações de conversão de energia de alta tensão em diversos mercados verticais.".
“Estamos muito satisfeitos por fazer parte da lista de fornecedores globais da Mouser como fabricantes de dispositivos GaN de alta qualidade e fiabilidade”, afirma Philip Zuk, Vice-Presidente de Marketing Técnico e Vendas Globais para a América do Norte da Transphorm. “Este acordo proporciona-nos uma oportunidade incrível de levar a nossa tecnologia GaN líder do setor à extensa base de clientes da Mouser. Estamos ansiosos por trabalhar com a sua equipa, apoiando os clientes no desenvolvimento de sistemas de energia de última geração”.
Os FET de GaN de 900 V da Transphorm em encapsulamento TO-220 e os FET de GaN de 650 V em encapsulamento TO-247 e TO-220, disponíveis na Mouser Electronics, combinam as tecnologias de alta tensão do HEMT de GaN com a baixa tensão do MOSFET. Estes dispositivos apresentam baixas perdas de cruzamento, carga de porta reduzida e menor carga de recuperação inversa, oferecendo uma fiabilidade em campo semelhante à dos FETs de carboneto de silício (SiC) e um desempenho superior ao dos MOSFETs de silício. Em comparação com os dispositivos de GaN concorrentes, os FET da empresa também oferecem a tensão limite mais elevada do setor, de 4 V, e uma classificação de robustez da porta de ±20 V.
Os FET de GaN de grau automóvel da Transphorm incluem o TPH3205WSBQA, a primeira solução de GaN do setor a obter a certificação AEC-Q101, e o TP65H035WSQA, o primeiro dispositivo classificado para 175 graus Celsius e com certificação AEC-Q101. Tal como acontece com as aplicações não automóveis, os sistemas de energia veicular que utilizam FETs de GaN de 650 V podem obter até 40% mais de densidade de energia, reduzindo os custos globais do sistema até 20% em comparação com soluções similares baseadas em silício.
Os FET de GaN da Transphorm são combinados com drivers de gate padrão, melhorando a eficiência em circuitos de comutação rígida e suave, além de facilitar o controlo e o design. Quando utilizados num sistema de correção do fator de potência (PFC) CA-CC do tipo totem sem ponte, os benefícios da plataforma GaN (como a maior densidade de potência e os custos reduzidos do sistema) são maximizados. Os FET são adequados para uma vasta gama de aplicações industriais, de comunicação de dados e automóveis, bem como para adaptadores de alimentação e sistemas para computadores de consumo.
A Mouser também oferece plataformas de avaliação da Transphorm, que permitem aos projetistas estudar as características de comutação e a eficiência. Os kits são compatíveis com diversas topologias de sistemas de energia, incluindo inversores, conversores buck ou boost de meia ponte (soluções SMD e through-hole) e PFCs do tipo totem sem ponte. Abrangem também uma gama de potências nominais para atender a diversas aplicações. Exemplos incluem as plataformas de avaliação de meia ponte de 1,2 kW e 2,5 kW, bem como as plataformas de avaliação de PFC do tipo totem sem ponte de 2,5 kW e 4 kW.
