Os transístores de potência RF ART1K6FH e ART2K0FE da Ampleon, disponíveis na Mouser, baseiam-se na Tecnologia Robusta Avançada (ART). Os novos nós de silício LDMOS da série ART são concebidos para atingir uma elevada tensão de rutura dreno-fonte, mantendo uma baixa capacitância de saída, resultando em transístores robustos com elevada transcondutância em toda a gama de frequências de HF a UHF. Os transístores de potência ART1K6FH de 1600 W oferecem uma gama de frequências de 1 a 425 MHz, e os incomparáveis ​​transístores de potência ART2K0FE de 2000 W oferecem uma gama de frequências de 1 a 400 MHz. Estes dispositivos abrangem uma vasta gama de aplicações ISM, de radiodifusão e de comunicação, oferecendo uma elevada eficiência e uma excelente estabilidade/robustez térmica sem degradação do dispositivo. Ambos os dispositivos são oferecidos em encapsulamentos cerâmicos de cavidade de ar SOT539AN, SOT539BN e SOT1248C.

Os transístores de potência LDMOS BLF981 e BLF981S são concebidos para aplicações em radiodifusão, indústria, aviónica, sistemas não celulares e aplicações industriais, científicas e médicas (ISM). A sua excelente robustez torna-os ideais para aplicações de transmissores digitais e analógicos na gama de frequências de HF a 1400 MHz. O BLF981 está encapsulado num pacote SOT467C, enquanto o BLF981S está integrado num pacote SOT467B, ambos oferecendo uma gestão térmica estável e alta fiabilidade a longo prazo.

O HEMT GaN-SiC CLP24H4S30P é um transístor de potência de alta eficiência de 30 W, concebido para aplicações de onda contínua (CW) na gama de frequências de 2400–2500 MHz. Ideal para sistemas industriais, científicos, médicos e de cozinha para o consumidor, o Ampleon CLP24H4S30P oferece um excelente desempenho de potência e estabilidade térmica. Alojado num encapsulamento compacto DFN de 7 x 7 mm para montagem em superfície, o CLP24H4S30P é ideal para projetos de amplificadores de RF compactos e de alta potência.

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