O GaN é uma tecnologia de semicondutores de última geração que tem vindo a ganhar destaque pela sua capacidade de oferecer um desempenho superior em comparação com os semicondutores de silício convencionais, reduzindo ao mesmo tempo a potência e o espaço físico necessários para atingir esse desempenho. Opera até 20 vezes mais rápido do que o silício e pode também permitir uma gestão de energia ou capacidade de carregamento três vezes mais rápida, para além das suas vantagens de tamanho, resultando em custos de sistema potencialmente 20% mais baixos para projetistas, engenheiros e arquitetos de sistemas de energia.

Os circuitos integrados de potência GaNFast™ da Navitas, com tecnologia GaNSense™, integram capacidades de potência, acionamento e controlo, bem como proteção autónoma e deteção de corrente sem perdas, para oferecer eficiência energética, o menor espaço físico e o desempenho de conversão de energia mais rápido. A mais recente família de circuitos integrados de meia ponte GaNSense da empresa oferece uma solução totalmente integrada de componente único que permite que as fontes de alimentação CA-CC atinjam frequências de comutação de MHz numa vasta gama de aplicações de comutação suave.