A eletrificação dos automóveis, as crescentes exigências de alta potência dos equipamentos de telecomunicações 5G e a ascensão da Indústria 4.0 exigem eficiência na conversão de energia, para a qual o GaN deverá tornar-se a tecnologia dominante. Estas tendências sustentam a crescente procura de semicondutores de potência em 2021 e nos anos seguintes. A UAES já começou a utilizar os FET de GaN da Nexperia em projetos de I&D e colaborativos, incluindo carregadores de veículos e conversores CC-CC de alta tensão para veículos elétricos. A tecnologia GaN da Nexperia apresenta excelentes índices de desempenho (RDS(on) x QGD) e carga de recuperação inversa (Qrr) que suportam elevadas frequências de comutação e uma conversão eficiente de energia. A Nexperia produz GaN utilizando técnicas de produção em massa consolidadas e fiáveis, principalmente nas suas próprias instalações de fabrico globais, para produzir produtos em conformidade com as normas automóveis AEC-Q101.

A UAES fornece aos fabricantes de automóveis soluções avançadas e abrangentes para sistemas de controlo de carroçaria e powertrain. A empresa é especializada no desenvolvimento, produção e venda de sistemas de gestão de motores a gasolina, sistemas de controlo de transmissão, sistemas eletrónicos para carroçarias e sistemas de controlo de propulsão híbridos e elétricos. Os seus cinco centros tecnológicos na China dispõem de laboratórios de classe mundial para o desenvolvimento de veículos completos, motores, transmissões automáticas e sistemas de propulsão elétrica. Os equipamentos avançados fornecem eficientemente serviços de engenharia de alta qualidade, incluindo o desenvolvimento de sistemas, o desenvolvimento de componentes e a calibração, a diversos fabricantes de automóveis chineses.

Paul Zhang, Vice-Presidente Sénior de Vendas e Marketing e Diretor Geral da Nexperia na China, comentou: “A densidade de potência e a eficiência dos transístores de efeito de campo de GaN baseados em silício desempenharão um papel fundamental na eletrificação de automóveis. Reconhecemos a ampla oferta, a posição de destaque no setor e a base de clientes da UAES na indústria automóvel e acreditamos que a nossa colaboração intensificada em GaN ajudará ambas as empresas a fornecer soluções de sistemas de energia para veículos elétricos mais avançadas e eficientes aos nossos clientes. No início deste mês, anunciamos um aumento da produção global e do investimento em I&D para apoiar integralmente o desenvolvimento de novos produtos.

Um porta-voz da administração da UAES declarou: "Estamos muito satisfeitos por trabalhar com a Nexperia no desenvolvimento de soluções inovadoras para sistemas de energia de veículos elétricos baseadas na tecnologia GaN. A Nexperia é um fornecedor líder de semicondutores para aplicações automóveis. Esta parceria irá ajudar-nos a reduzir o número de dispositivos utilizados, a diminuir os custos, a aumentar a densidade de potência e a melhorar a fiabilidade e a eficiência de todo o sistema."

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