Especificamente, os parceiros visam tornar-se fontes mutuamente alternativas de encapsulamentos selecionados para dispositivos de potência de SiC, uma iniciativa que aumentará a flexibilidade de conceção e aquisição para os seus clientes. No futuro, os clientes poderão adquirir dispositivos com encapsulamentos compatíveis tanto à ROHM como à Infineon. A colaboração garantirá a compatibilidade e a intermutabilidade perfeitas para satisfazer as necessidades específicas dos clientes.
“Estamos muito entusiasmados por trabalhar com a ROHM para acelerar ainda mais a adoção de dispositivos de potência de SiC”, disse o Dr. Peter Wawer, presidente da divisão de Energia Industrial Verde da Infineon. “A nossa colaboração proporcionará aos clientes uma gama mais ampla de opções e maior flexibilidade nos seus processos de design e aquisição, permitindo-lhes desenvolver aplicações mais eficientes em termos energéticos, o que impulsionará ainda mais a descarbonização.”.
“A ROHM está empenhada em fornecer aos clientes as melhores soluções possíveis. A nossa colaboração com a Infineon é um passo importante para atingir este objetivo, uma vez que expande o nosso portefólio de soluções”, afirmou o Dr. Kazuhide Ino, membro do Conselho de Administração e Diretor Executivo responsável pela divisão de dispositivos de potência da ROHM. “Ao trabalharmos em conjunto, podemos impulsionar a inovação, reduzir a complexidade e aumentar a satisfação do cliente, o que, em última análise, moldará o futuro da indústria da eletrónica de potência”.
Como parte do acordo, a ROHM irá adotar a plataforma de arrefecimento superior e inovadora da Infineon para SiCs, que inclui os encapsulamentos TOLT, D-DPAK, Q-DPAK, dual Q-DPAK e H-DPAK. A plataforma de refrigeração superior da Infineon oferece diversas vantagens, incluindo uma altura normalizada de 2,3 mm para todos os encapsulamentos. Isto simplifica os projetos e reduz os custos do sistema de refrigeração, além de permitir um melhor aproveitamento do espaço na placa e até o dobro da densidade de potência.
Ao mesmo tempo, a Infineon irá adotar o encapsulamento DOT-247 da ROHM com uma configuração de meia-ponte de SiC para desenvolver um encapsulamento compatível. Isto irá expandir a linha de IGBTs Double TO-247 recentemente anunciada pela Infineon para incluir soluções de meia-ponte de SiC. O DOT-247 avançado da ROHM oferece uma maior densidade de potência e reduz o esforço de montagem em comparação com os encapsulamentos discretos padrão. Com uma estrutura única que integra dois encapsulamentos TO-247, reduz a resistência térmica em aproximadamente 15% e a indutância em 50% em comparação com o TO-247. Estas vantagens resultam numa densidade de potência 2,3 vezes superior à do TO-247.
A ROHM e a Infineon planeiam expandir a sua colaboração no futuro para incluir outras tecnologias de silício para potência e banda larga, como o SiC e o nitreto de gálio (GaN). Isto irá fortalecer ainda mais a relação entre as duas empresas e oferecer aos clientes uma gama ainda mais ampla de soluções e opções de fornecimento.
Os semicondutores à base de SiC melhoraram o desempenho de aplicações de alta potência, comutando a eletricidade de forma ainda mais eficiente, permitindo uma elevada fiabilidade e robustez em condições extremas, além de possibilitarem projetos ainda mais pequenos. Com os produtos de SiC da ROHM e da Infineon, os clientes podem desenvolver soluções energeticamente eficientes e aumentar a densidade de potência para aplicações como o carregamento de veículos elétricos, sistemas de energia renovável e centros de dados de IA.
