A parceria de desenvolvimento com o fabricante ROHM, iniciada em 2020, lançou as bases para o acordo de fornecimento agora assinado em Regensburg. Os inversores avançados da Vitesco Technologies, com chips de SiC da ROHM integrados, serão adotados por dois clientes para utilização em sistemas de propulsão de veículos elétricos. A Vitesco Technologies começará a fornecer o seu primeiro projeto de produção em série já em 2024, antecipando o calendário inicial.
"O acordo de fornecimento com a ROHM é um elemento importante para garantir as capacidades da Vitesco Technologies em SiC nos próximos anos", afirmou Andreas Wolf, CEO da Vitesco Technologies, na cerimónia de assinatura em Regensburg. "Tivemos uma experiência muito positiva com a nossa cooperação em desenvolvimento até agora, e esperamos não só continuá-la, mas também intensificá-la ainda mais", acrescentou Wolf.
"No mercado automóvel em rápido crescimento, o SiC é um precursor para uma maior eficiência. Com uma quota de mercado projetada superior a 30%, estamos muito bem posicionados e garantimos um parceiro estratégico na Vitesco Technologies para penetrar ainda mais no mercado", afirmou o Dr. Kazuhide Ino, membro do Conselho de Administração, CEO e CFO da ROHM Co. Ltd., na cerimónia de assinatura.
Pequena causa, grande efeito.
O carboneto de silício pertence à classe dos semicondutores de banda larga, cuja banda proibida larga (em termos simples: a diferença de energia entre os estados não condutor e condutor dos eletrões no material) permite uma menor resistência elétrica e chips de comutação rápidos e com baixas perdas para a eletrónica de potência. Ao mesmo tempo, os chips de SiC são mais resistentes termicamente, o que possibilita o aumento da densidade de potência dos dispositivos eletrónicos.
Graças a estas características, os componentes eletrónicos de SiC apresentam perdas de conversão reduzidas em comparação com o silício convencional (Si). Especialmente em níveis de alta tensão, como 800 V, os inversores de SiC são mais eficientes do que os modelos de Si. Como 800 V é o pré-requisito para um carregamento rápido e, portanto, conveniente de alta tensão, os dispositivos de SiC estão a experimentar um crescimento global. A redução das perdas de conversão no inversor é também importante para a eficiência global da condução elétrica e, consequentemente, para a autonomia. Por conseguinte, a competição para alcançar capacidade suficiente em componentes fabricados com este material de alta tecnologia é feroz.
