Com base numa colaboração já existente e bem-sucedida, as empresas pretendem avaliar de que forma uma cooperação mais estreita no desenvolvimento de semicondutores e na integração de sistemas de propulsão pode contribuir para a próxima geração de plataformas de veículos elétricos e híbridos. Esta colaboração sucede à implementação bem-sucedida dos dispositivos GaN da Nexperia no sistema de geração de energia altamente integrado da Aurobay Technologies para aplicações de extensores de autonomia. O projeto demonstrou o potencial das tecnologias de semicondutores de banda larga para melhorar a eficiência, reduzir o tamanho e o peso do sistema e melhorar o desempenho global em ambientes automóveis exigentes.
Partindo desta base, a Nexperia e a Aurobay Technologies irão avaliar as oportunidades para otimizar ainda mais as arquiteturas de eletrónica de potência para aplicações como inversores de tração e sistemas de geração de energia. Combinando a expertise da Nexperia em semicondutores de banda larga com a experiência e as capacidades da Aurobay Technologies em sistemas de propulsão, as empresas pretendem avaliar abordagens conjuntas de engenharia, incluindo o codesenvolvimento em fases iniciais e a otimização ao nível do sistema. À medida que os fabricantes de automóveis procuram maior eficiência, maior densidade de potência e arquiteturas de propulsão mais compactas, as tecnologias de semicondutores de banda larga estão a tornar-se impulsionadoras cada vez mais importantes da eletrificação. Através desta colaboração, a Nexperia e a Aurobay Technologies têm como objetivo explorar novas abordagens que acelerem a adoção de soluções avançadas de semicondutores de potência e apoiem o desenvolvimento de sistemas de propulsão escaláveis de alto desempenho para a mobilidade do futuro.
Edoardo Merli, responsável pelo grupo de negócio de Semicondutores de Banda Larga, IGBTs e Módulos da Nexperia, afirmou: “As tecnologias GaN e SiC oferecem oportunidades significativas para melhorar a eficiência, a densidade de potência e o desempenho do sistema em aplicações automóveis. Ao trabalharmos em estreita colaboração com a Aurobay Technologies, podemos compreender melhor os requisitos ao nível do sistema e avaliar como as tecnologias avançadas de semicondutores podem proporcionar benefícios quantificáveis ao nível do veículo. Esperamos fortalecer ainda mais a nossa colaboração bem-sucedida e explorar novas oportunidades em conjunto.”
O Dr. Ma Yongquan, Engenheiro Chefe de Engenharia de Componentes Elétricos Avançados da Aurobay Technologies, afirmou: “A nossa experiência na integração da tecnologia GaN da Nexperia num sistema de geração de energia altamente integrado demonstrou o potencial da estreita colaboração em toda a cadeia de valor. Ao combinar a nossa experiência em sistemas de propulsão com a inovação em semicondutores da Nexperia, podemos avaliar novas abordagens para melhorar a eficiência, o desempenho e o design de futuros sistemas de propulsão eletrificados.”
