Uma das inovações energéticas da ROHM é a sua 4ª geração de MOSFETs de SiC: esta consegue perdas de comutação até 50% inferiores e uma redução de 40% na resistência de condução, sem sacrificar a capacidade de suportar curto-circuitos. Além disso, a última geração oferece uma gama de tensão de porta mais flexível (15-18 V) e suporta o desligamento por tensão zero, permitindo a utilização de circuitos de acionamento de porta simples com alimentação de polo único.
“A procura de SiC continuará a crescer, e a ROHM também planeia aumentar as suas vendas. Vamos acelerar ainda mais os investimentos e o desenvolvimento de produtos com base na tecnologia que cultivamos como fabricante líder de SiC. Além disso, a nossa empresa continuará a oferecer soluções que combinam não só produtos de SiC, mas também componentes periféricos e apoio ao cliente”, afirma o Dr. Kazuhide Ino, CEO da ROHM Co., Ltd.
A ROHM aumentou recentemente a sua capacidade de produção de semicondutores de potência de SiC com a conclusão de um novo edifício na sua fábrica Apollo em Chikugo, Japão. “Como fabricante de semicondutores verticalmente integrado, somos em grande parte independentes de fornecedores, o que nos permite responder com mais flexibilidade às mudanças do mercado. O elevado grau de integração nas nossas instalações de produção dá-nos uma vantagem sobre outros fabricantes que externalizam muitas fases da produção. Além disso, estamos a fazer esforços significativos para continuar a otimizar as nossas cadeias de abastecimento, incluindo o nosso sistema de produção, para garantir um fornecimento estável aos nossos clientes”, afirmou Wolfram Harnack, presidente da ROHM Semiconductor Europe.
Com a expectativa de um crescimento contínuo da procura de wafers semicondutores de carboneto de silício, a ROHM planeia expandir os seus investimentos e a sua capacidade de produção. A subsidiária de produção da ROHM, a SiCrystal, localizada em Nuremberga, na Alemanha, também planeia aumentar significativamente a sua capacidade e força de trabalho. "O objetivo intermédio da SiCrystal é atingir vendas na casa dos nove dígitos, produzindo várias centenas de milhares de substratos por ano", afirma o Dr. Robert Eckstein, CEO da SiCrystal.
Isao Matsumoto, Presidente e CEO da ROHM Co., Ltd., está satisfeito com as conquistas gerais do Grupo ROHM e mantém-se otimista em relação ao futuro: “Alcançámos vendas recorde no último ano fiscal e esperamos manter o nosso forte desempenho no atual. Consequentemente, revimos o nosso plano de gestão a médio prazo para cima e antecipadamente. Entre os mercados globais, reconhecemos a Europa como um mercado prioritário para concentrar a nossa estratégia, dada a presença de muitas empresas que lideram a inovação tecnológica nos setores automóvel e de equipamentos industriais. A A ROHM continuará também a fornecer aos clientes soluções focadas em produtos de potência e analógicos, que são as especialidades da ROHM”, conclui Isao Matsumoto, Presidente e CEO da ROHM Co., Ltd.
