Após ter iniciado a produção em massa dos seus HEMT de GaN de 150 V — com uma tensão de rutura de porta de 8 V — em 2022, a ROHM desenvolveu a tecnologia de circuito integrado de controlo em março de 2023 para maximizar o desempenho do GaN. Agora, a ROHM desenvolveu os HEMTs de GaN de 650 V, líderes de mercado, contribuindo para uma maior eficiência e uma menor dimensão numa gama mais ampla de sistemas de energia.
Os transístores GNP1070TC-Z e GNP1150TCA-Z oferecem um desempenho líder no setor em termos de RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, um fator chave de mérito para HEMTs de GaN, resultando numa maior eficiência nos sistemas de alimentação. Simultaneamente, um elemento de proteção ESD integrado aumenta a resistência à rutura eletrostática até 3,5 kV, elevando assim a fiabilidade da aplicação. As características de comutação de alta velocidade dos HEMTs de GaN também contribuem para a miniaturização dos componentes periféricos.
A ROHM continua a melhorar o desempenho dos seus dispositivos através da linha EcoGaN™ de dispositivos GaN, o que contribui para uma maior poupança de energia nas aplicações e uma maior miniaturização. Ao desenvolver produtos ROHM, promovemos também o desenvolvimento colaborativo através de parcerias estratégicas para ajudar a resolver desafios sociais, tornando as aplicações mais eficientes e compactas.
O EcoGaN™
é a nova linha de dispositivos GaN da ROHM, que contribui para a poupança de energia e miniaturização, maximizando as características do GaN com o objetivo de alcançar um menor consumo de energia em aplicações, componentes periféricos mais pequenos e projetos mais simples que requerem menos peças.
Gama de produtos
Exemplos de aplicação:
Ideal para uma vasta gama de sistemas de alimentação de energia em equipamentos industriais e dispositivos de consumo, incluindo servidores e adaptadores CA.
A Ancora Semiconductors Inc.
é uma subsidiária da Delta Electronics, fornecedora global de soluções de gestão térmica e energética. Fundada em julho de 2022, a Ancora concentra-se no desenvolvimento de dispositivos e tecnologia GaN.
Mais informações sobre a Ancora
Terminologia
do GaN HEMT
O GaN (nitreto de gálio) é um material semicondutor compósito utilizado em dispositivos de potência de última geração. A sua adoção está a aumentar devido às suas propriedades superiores em comparação com o silício, como demonstrado pelas suas excelentes características de alta frequência.
HEMT significa Electron High Mobility Transistor.
RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss
é um índice para avaliar o desempenho de comutação, em que Ciss se refere à capacitância total do lado da entrada e Coss do lado da saída.
Quanto menor for este valor, maior será a velocidade de comutação e menores serão as perdas de comutação.
A descarga eletrostática (ESD)
é uma sobretensão que ocorre quando objetos carregados, como o corpo humano e equipamentos eletrónicos, entram em contacto. Este tipo de sobretensão pode provocar um funcionamento anormal ou destruição de circuitos e equipamentos.
