A entusiasmante colaboração entre a ROHM e a Venturi Formula E destaca a chave para o sucesso nesta categoria de corridas totalmente elétricas: a gestão da energia. O desafio na Fórmula E reside em encontrar a forma mais eficiente de utilizar a energia fornecida pela bateria e durante a condução. Para alcançar este objetivo, a ROHM desenvolveu uma nova tecnologia de dispositivos de potência utilizando carboneto de silício. Este material suporta campos elétricos muito mais intensos do que o silício convencional, resultando em perdas de energia extremamente baixas e maior resistência à temperatura. A ROHM e a Venturi esperam que isto lhes proporcione uma vantagem competitiva e impulsione o desenvolvimento de novas soluções técnicas para aumentar a eficiência da conversão de energia.

Inversor Rohm dentro do carroTecnologia SiC em resumo: Eletrónica de potência mais pequena, mais robusta e mais rápida.
O carboneto de silício é um composto de silício e carbono produzido através de um processo de crescimento cristalino que envolve a sublimação e a exposição a altas temperaturas de cerca de 2000 °C. A ROHM, líder em aplicações de SiC utilizando esta tecnologia em dispositivos de potência, conseguiu um menor consumo de energia e um funcionamento mais eficiente. Oferece diversas vantagens em relação ao silício convencional:
MENOR – A miniaturização do sistema permite a redução do tamanho e do peso, melhorando a distribuição do peso em competições automobilísticas e resultando num menor consumo global de energia.
MAIS ROBUSTO – Os dispositivos de SiC podem operar com tensões e correntes mais elevadas, aumentando a densidade de potência e reduzindo as perdas de comutação, mesmo a altas temperaturas. MAIS RÁPIDO
– O mais recente resultado da colaboração entre a ROHM e a Venturi. Desempenho superior e potencial máximo de velocidade.

O inversor da terceira estação incorpora díodos Schottky de SiC, tornando-o 2 kg mais leve do que o inversor da segunda estação. A eficiência elétrica aumentou 1,7%, enquanto o volume dos componentes de dissipação de calor foi reduzido em 30%. Mas isto é apenas o início. Outras alterações significativas no inversor MOSFET de SiC integrado serão introduzidas na quarta temporada.

Acordo de patrocínio e tecnologia que demonstra o compromisso com o desenvolvimento futuro.
A ROHM é líder no desenvolvimento de produtos avançados de SiC, em particular dispositivos de potência de SiC. Foi a primeira empresa no mundo a fabricar o MOSFET de SiC em 2010. No setor automóvel, existe um número crescente de veículos elétricos e inversores que adotam a utilização de SiC, e a ROHM já conquistou uma quota de mercado extraordinária em carregadores de bordo para carregamento rápido.
A ROHM é também líder no setor dos sistemas LSI com a sua vasta gama de produtos ASIC e ASSP aprovados pela AEC-Q, tais como drivers de LED, drivers de motor e drivers de gate otimizados para unidades de controlo do motor (ECUs), bem como componentes discretos padrão, como transístores, díodos e circuitos integrados em geral.
A ROHM Semiconductor torna-se patrocinadora global pela primeira vez. Este acordo representa um passo importante para este fabricante líder global de semicondutores, com sede em Quioto, no Japão, e demonstra o seu compromisso com o desenvolvimento contínuo de sistemas de gestão de energia. A aplicação da tecnologia SiC na Fórmula E e na mobilidade elétrica em geral representa um passo significativo na transformação da tecnologia de controlo. Além disso, a ROHM está a desempenhar um papel activo na revolução das políticas energéticas. Assim que o trabalho realizado com a Venturi demonstrar a eficácia desta nova tecnologia, os dispositivos de potência em SiC entrarão em produção em massa, beneficiando a indústria e a sociedade como um todo.

Com o objetivo de partilhar e promover o acordo com a Fórmula E, a ROHM criou um website dedicado dirigido a clientes, colaboradores, fãs de desporto automóvel e decisores na indústria eletrónica. Este site oferece as últimas notícias da Fórmula E e informações sobre o acordo e a tecnologia SiC em geral.

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