As vantagens da tecnologia GaN oferecem amplos benefícios em diversos setores, desde aplicações industriais e automóveis a eletrónica de consumo e energia renovável. O novo e-book fornece informações de especialistas da ADI, Bourns e outras empresas sobre os benefícios do GaN, os desafios que os designers que utilizam a tecnologia GaN pela primeira vez podem enfrentar e a melhor forma de abordar a transição do silício para o GaN. O e-book também destaca produtos relevantes da ADI e da Bourns, como drivers GaN, indutores de potência e muito mais.
Os drivers síncronos abaixadores LTC7890/1 da ADI são drivers de reguladores de comutação CC-CC abaixadores de alto desempenho que controlam os estágios de potência de transístores de efeito de campo (FET) GaN síncronos de canal N com tensões de entrada até 100 V. Estes dispositivos simplificam o design, eliminando a necessidade de díodos de proteção ou outros componentes externos adicionais, ao contrário das soluções de semicondutores de óxido metálico de silício.
O LT8418 é um driver GaN de meia ponte de 100 V que integra os estágios de driver superior e inferior, o controlo lógico do driver e as proteções. O LT8418 fornece drivers de porta dividida para ajustar as velocidades de resposta de ativação e desativação dos FETs de GaN, suprimindo a ressonância e otimizando o desempenho de EMI.
As elevadas frequências de comutação na tecnologia GaN exigem uma seleção cuidadosa dos componentes passivos. A Bourns oferece componentes magnéticos avançados otimizados para as altas frequências do GaN, como os seus indutores de potência planares PQ, indutores de chip CWP3230A e indutores TLVR1105T. Estes dispositivos são caracterizados pela sua baixa indutância, altas classificações de corrente e design blindado para baixa radiação.
O transformador Bourns HCTSM150102HL apresenta isolamento reforçado, uma distância mínima de isolamento/escoamento de 15 mm e uma classificação de tensão máxima de 7,64 kV (2 s) para proporcionar um elevado grau de proteção contra riscos de alta tensão. O transformador é construído com um núcleo de ferrite toroidal para alcançar um elevado fator de acoplamento e uma elevada eficiência.
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- Categoria: Seminários
Desafios e benefícios da tecnologia de nitreto de gálio (GaN) em termos de eficiência, desempenho e sustentabilidade
A Mouser Electronics, Inc. anuncia um novo e-book em colaboração com a Analog Devices, Inc. (ADI) e a Bourns, que analisa os desafios e benefícios da tecnologia de nitreto de gálio (GaN) em termos de eficiência, desempenho e sustentabilidade.
Dez especialistas discutem a tecnologia de nitreto de gálio, explorando a forma como o GaN, que possibilita uma maior eficiência, velocidades de comutação mais rápidas e uma maior densidade de potência do que o silício, está a revolucionar a eletrónica de potência.
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