Estes dispositivos são construídos com nitreto de alumínio (AlN) ou óxido de berílio (BeO) e estão disponíveis em encapsulamentos EIA standard.
O Q-Bridge oferece ao projetista a capacidade de gerir as condições térmicas, direcionando o calor para o plano de massa do dissipador de calor ou para qualquer outro ponto térmico específico de interesse. A sua capacitância inerentemente baixa torna este dispositivo praticamente transparente a frequências de RF/micro-ondas, com o benefício adicional de oferecer proteção contra pontos quentes em componentes adjacentes.
O Q-Bridge oferece a vantagem de uma maior fiabilidade geral do circuito. O Q-Bridge da ATC é fabricado numa só peça, proporcionando um encapsulamento SMT compatível com RoHS e totalmente adequado para processos automatizados de pick-and-place. Configurações personalizadas também estão disponíveis.
Aplicações
• Amplificadores de potência GaN.
• Amplificadores de alta potência de RF.
• Filtros.
• Sintetizadores.
• Computadores industriais.
• Fontes de alimentação comutada.
• Díodos laser.
Características
• Condução térmica entre o dispositivo ativo e os planos de terra adjacentes.
• Almofada de contacto dedicada à carcaça.
• Almofada de contacto placa a placa.
• Contacto direto do componente por meio de rasto ou furo metalizado.
• Bordas totalmente metalizadas.
