Baseada na sua plataforma de circuitos independentes, plataforma de CI e plataforma de processos, a MORNSUN, distribuída pela Mecter, lançou a terceira geração de conversores DC/DC da série QA-R3/QA_C-R3, especificamente concebidos para drivers de IGBT/MOSFET de SiC. A série QA_H-R3/QA_HC-R3 apresenta uma distância de fuga adequada para aplicações de potência em sistemas de 1700V, tornando-se um conversor DC/DC ideal e fiável. para soluções de acionamento.
Vantagens
Tensão de isolamento: 5000 VCA, isolamento reforçado
Baseado no design de CI independente da MORNSUN, a tensão de isolamento da série R3 atinge 5000 VCA, superior aos produtos convencionais do mercado (3750 VCA), e cumpre os requisitos de isolamento reforçado, melhorando significativamente a fiabilidade global.
Como componentes semicondutores essenciais, a maioria dos MOSFET IGBT/SiC disponíveis comercialmente são utilizados em aplicações de média e baixa tensão, onde a tensão de funcionamento é de 650V/900V/1200V/1700V.
Em conformidade com a norma IEC 61800-5-1, a série R3 apresenta uma tensão de barreira contínua (descarga contínua) até 1700V, podendo ser utilizada em dispositivos MOSFET IGBT/SiC com tensões de funcionamento inferiores a 1700V. A distância de fuga do QA_H-R3/QA_HC-R3 é superior a 14,14 mm.
Em comparação com a série R1, a série R3 oferece as seguintes características de desempenho otimizadas:
1. Eficiência aumentada: 80% → 87%
2. Ondulação reduzida: 75mVpp → 50mVpp
3. Carga capacitiva aumentada: 220uF → 2200uF
4. Desempenho ESD melhorado: ±6kV → ±8kV
5. Capacitância de isolamento reduzida: 6,6pF → 3,5pF
Aplicações:
A série QA-R3/QA_C-R3 pode ser amplamente utilizada em soluções de acionamento de IGBT/MOSFET de SiC para inversores fotovoltaicos, controladores de motores e carregamento de veículos elétricos.
Tomando como exemplo o sistema PV-SVG, este fornece a alimentação ao chip de acionamento, permitindo que o IGBT/MOSFET de SiC opere de forma eficiente.
Características
• Tensão de isolamento: 5000 VCA (isolamento reforçado).
• Tensão de barreira contínua: 1700 V.
• Eficiência até 87%.
• Pacote SIP compacto.
• Carga capacitiva máxima: 2200 µF.
• Capacitância de isolamento ultrabaixa: 3,5 pF (típica).
• Intervalo de temperatura de funcionamento: -40 °C a +105 °C.
