Toshiba Electronics Europe ha dado a conocer sus nuevos diodos de barrera Schottky (SBD) basados ​​en carburo de silicio (SiC) en la segunda generación de la tecnología de semiconductores.

Estos SBDs ofrecen densidades de corriente hasta un 50% superiores a los dispositivos de primera generación y pueden funcionar con corrientes directas de pico mayores.

El uso de semiconductores SiC ayuda a los diseñadores a mejorar la eficiencia, reducir la disipación de calor y ahorrar espacio en los diseños de conmutación de potencia de alta velocidad. Los dispositivos de potencia SiC también ofrecen un funcionamiento estable en un rango de temperatura más amplio, que las alternativas de silicio, incluso a altas tensiones y corrientes.

Con su proceso SiC de segunda generación, Toshiba ha sido capaz de reducir el espesor de la pastilla para desarrollar SBDs con densidades de corriente 1,5 veces (1,5x) por encima de los dispositivos de primera generación. Además, la segunda generación de SBDs SiC ofrecerá calificaciones superiores de corriente directa de pico (inicial) no repetitiva (IFSM).

Los primeros productos de la segunda generación de la gama serán dispositivos 650V con corriente de 4A (TRS4E65F), 6A (TRS6E65F), 8A (TRS8E65F) y 10A (TRS10E65F) en encapsulados TO-220 2-pin y TO-220 2-pin aislados llamados TRS..A65F. Estos diodos serán ideales para diseños de conversión de potencia de conmutación de alta velocidad, incluyendo esquemas de corrección de factor de potencia (PFC), inversores fotovoltaicos y sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI). Los SBDs SiC de Toshiba también se pueden utilizar para mejorar la eficiencia de conmutación de fuentes de alimentación a través de la sustitución de los diodos de silicio convencionales.

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