Samsung produce de manera masiva memorias DDR3 4G con tecnología de procesos de 20 nanómetros
Samsung Electronics Co., Ltd. ha anunciado la producción en masa de las memorias DDR3 más avanzadas, basadas en una nueva tecnología de procesos de 20 nanómetros, y que serán utilizadas en una amplia gama de aplicaciones informáticas.
Samsung ha ido un paso más allá en el escalado de DRAM, utilizando la litografía de inmersión ArE actual en sus nuevas memorias DRAM DDR3 de 4Gb y 20 nanómetros.
Con una memoria DRAM, donde cada celda cuenta con un condensador y un transistor conectados entre sí, el escalado es más difícil que con una memoria NAND Flash en la que una celda solo necesita un transistor. Para continuar escalando el DRAM más avanzado, Samsung redefine su diseño y fabricación de tecnologías y viene con un patrón doble modificado y la deposición de capas atómicas.
La tecnología modificada de doble patrón de Samsung, crea un hito al permitir la producción de DDR de 20nm utilizando equipamiento actual de litografía y estableciendo la tecnología core para la próxima generación de memorias RAM de próxima generación de 10 nanómetros. Samsung ha creado también exitosamente capacitadores de celdas dieléctricas ultrafinas con una homogeneidad sin precedentes, lo que da como resultado celdas con un mayor rendimiento.
Con la nueva DRAM DDR3 de 20nm, Samsung también ha mejorado la productividad de fabricación, que es un 30% mayor que la anterior DDR de 25 nanómetro, y más del doble que las DDR de 30 nm * .
Además, los nuevos módulos basados en DDR3 4G 20nm, pueden ahorrar hasta el 25% de energía consumida por módulos equivalente fabricados utilizando la anterior tecnología de procesos de 25 nanómetros. Esta mejora proporciona las bases para la entrega de las soluciones de Green IT más avanzadas para las compañías a nivel global.
“La nueva y eficiente DRAM DDR3 20 nm ampliará rápidamente el mercado de la industria IT incluyendo los mercados de PC y móvil,” afirma Young-Hyun Jun, Vicepresidente Ejecutivo de Marketing de Memorias en Samsung Electronics. “Samsung continuará proporcionando la siguiente generación DRAM y soluciones ecológicas al mismo tiempo que contribuirá al crecimiento del mercado global IT en cooperación cercana con nuestros mayores clientes.”
De acuerdo con los estudios de Gartner, el mercado global de memorias DRAM crecerá desde 35 miles de millones de dólares hasta unos 38 miles de millones en 2014.
*Nota: la clase de 10nm hace referencia al nodo del proceso tecnológico que se encuentra entre los 10 y los 20 nanómetros, y la clase de 30nm se encuentra entre los 30 y los 40 nanómetros.
Articulos Electrónica Relacionados
- Vishay Siliconix lanza el MOSF... Vishay Intertechnology, Inc. ha dado a conocer con la denominación Si8800EDB 20-V MICRO FOOT® un MOSFET de potencia canal-N a escala de chip con superficie de 0...
- Memoria BiCS de 48 capas Toshiba Corporation ha anunciado el desarrollo de la primera memoria flash de 48 capas[1] con estructura de celda apilada de tres dimensiones[2] llamada BiCS, u...
- Amplificadores de bajo ruido H... Mouser Electronics, Inc. presenta los amplificadores de bajo ruido HMC8400 de Analog Devices. Miembros de la amplia serie de CIs para RF de ganancia fija de Ana...
- Diodos SiC para PFC de gama al... RC Microelectrónica, distribuidor para España y Portugal de Vishay Intertechnology, ofrece una familia completa de diodos SiC Schottky con voltaje de ruptura de...
- Amplificador bidireccional de ... Los diseñadores ahora pueden mejorar la eficiencia del motor y reducir la vibración utilizando el amplificador bidireccional de detección de corriente MAX40056 ...
- Controladores de puerta para I... Los controladores de puerta para IGBT con aislamiento óptico ACPL-H342 y ACPL-K342 con control de 2,5 A pico a la salida, que acaba de lanzar al mercado Avago T...
- Nuevos SSDs PCIe NVMe y SATA d... SMART Modular Technologies, Inc., una subsidiaria de SMART Global Holdings, Inc. ha presentado tres nuevas familias de productos SSD en el 2019 Flash Memory Sum...
- Alliance Memory lanza las nuev... Alliance Memory ha presentado hoy una nueva línea de DRAMs mobile CMOS DDR de alta velocidad (DDR SDRAM) diseñadas para aumentar la eficiencia y prolongar la vi...
- Regulador CC/CC mModule de 15A... Linear Technology Corporation presenta el LTM4627, un regulador CC/CC µModule®, 15 A, que incluye las inductancias, los MOSFET y loa componentes adicionales en ...
- Menor consumo en modo reposo d... Renesas Electronics ha anunciado el desarrollo exitoso de una nueva tecnología de circuitos SRAM de baja potencia que puede ser incorporada en productos ...
- MOSFETs resistentes a alto vol... Rohm Semiconductor amplía su línea de MOSFET de alta velocidad de conmutación y alta resistencia a alto voltaje para circuitos PFC en fuentes de alimentac...
- Farnell tiene en stock los reg... Farnell ya tiene en stock los reguladores de tensión PoL Gen 2.1 SupIRBuck™ de International Rectifier. La nueva familia de productos altamente efic...