O primeiro produto de alta tensão nesta nova plataforma é o MOSFET AOS AOTL037V60DE2 de 600 V, concebido para satisfazer a crescente procura de alta eficiência e alta densidade de potência numa vasta gama de aplicações, incluindo servidores, estações de trabalho, retificadores de telecomunicações, inversores solares, controladores de motores e sistemas de energia industrial.
Os desafios de design de fontes de alimentação comutada (SMPS) de média a alta potência e sistemas de inversores solares podem ser resumidos em quatro requisitos principais: maior eficiência, maior densidade de potência, menor custo total do sistema e robustez intransigente. Para satisfazer estas expectativas, os MOSFETs de superjunção de alta tensão tornaram-se os dispositivos preferidos para topologias críticas, incluindo o ramo lento das fontes de alimentação totem-pole (PFCs), conversores LLC ressonantes, circuitos de correção do fator de potência (PFCBs) e cicloconversores.
A AOS desenvolveu a sua plataforma avançada de MOSFET de superjunção de alta tensão αMOS E2™ com um díodo de corpo intrinsecamente robusto, capaz de lidar de forma fiável com cenários de comutação severos, como a recuperação inversa do díodo de corpo livre que pode ocorrer durante eventos anómalos, como curtos-circuitos ou transitórios de arranque. O AOTL037V60DE2, disponível em encapsulamento TOLL, apresenta uma resistência RDS(ON) máxima de 37 miliohms. Em avaliações conduzidas pela equipa de engenharia de aplicações da AOS, a robustez do díodo de corpo neste MOSFET αMOS E2™ demonstrou a capacidade de suportar di/dt = 1300 A/µs sob condições específicas de corrente contínua (IF) a uma temperatura de junção de 150 °C. Além disso, os testes da AOS confirmaram que o AOTL037V60DE2 oferece uma capacidade de comutação indutiva sem fixação por avalanche (UIS) superior e um tempo de retenção de curto-circuito (SCWT) mais longo em comparação com os MOSFETs concorrentes. Esta robustez melhorada traduz-se numa maior fiabilidade ao nível do sistema, garantindo um desempenho sólido mesmo em condições operacionais anormais.
“Projetámos esta plataforma e o primeiro MOSFET de alta tensão para satisfazer as necessidades das fontes de alimentação CA/CC tradicionais, bem como dos conversores CC/CC e dos inversores CC/CA, onde alcançar uma elevada densidade de potência e eficiência continua a ser um desafio crítico. Graças à vasta experiência da AOS em engenharia de MOSFETs, sabemos que as características inovadoras da plataforma αMOS E2™ High-Voltage Super Junction MOSFET e do AOTL037V60DE2 resolvem estes desafios, permitindo aos designers de aplicações média a alta potência, inversores solares e conversores CC/CC satisfazem eficazmente as exigências atuais e futuras de eficiência energética, durabilidade e redução de custos”, afirmou Simon Yu, Senior Product Line Manager da AOS.
Principais características técnicas:
Otimizado para topologias de comutação suave com perdas de comutação excecionalmente baixas.
Díodo de corpo robusto com Qrr reduzido para aplicações exigentes e de alta tensão.
Robustez melhorada com forte UIS, capacidade de lidar com corrente de pico e ampla capacidade de SOA.
Concebido para evitar a autoligação, garantindo um funcionamento fiável em condições dinâmicas.
Adequado para aplicações Totem Pole PFC, LLC, PSFB e CrCM H-4/Ciclo Inversor.
Disponibilidade e Preço:
O AOTL037V60DE2 (600V 37mΩ TOLL) está disponível para produção em grande escala com um prazo de entrega de 16 semanas. O preço unitário para encomendas de 1.000 unidades é de 5,58 dólares.
