Ao implementar uma estrutura de barreira de junção Schottky (JBS) melhorada, a série TRSxxx120Hx permite uma tensão direta (V<sub>F</sub>) muito baixa, de apenas 1,27 V (típica). O díodo Schottky PiN fundido, integrado na estrutura JBS, reduz as perdas do díodo em condições de elevada corrente. O TRS40N120H da nova série suporta uma corrente contínua CC (I<sub>F(CC)</sub>) de 40 A (máx.) e uma corrente contínua de pico não repetitiva (I<sub>FSM</sub>) de 270 A (máx.), com uma temperatura máxima de encapsulamento (T<sub>C</sub>) de +175 °C para todos os dispositivos.
Combinados com uma menor carga capacitiva e corrente de fuga, estes produtos ajudam a melhorar a eficiência do sistema e a simplificar o design térmico. Por exemplo, com uma tensão inversa (VR)de 1200 V, o díodo TRS20H120H alojado na embalagem TO-247-2L fornece uma carga capacitiva total (QC)de 109 nC e uma corrente inversa (IR) de 2 µA.
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- Categoria: Outros componentes
Diodos Schottky de SiC de 1200 V com uma tensão de filtro passa-baixo típica de 1,27 V
A Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) alarga o seu portefólio de díodos de carboneto de silício (SiC) com dez novos díodos Schottky de 1200 V (SBDs). A série TRSxxx120Hx, composta por cinco produtos em encapsulamento TO-247-2L e cinco em encapsulamento TO-247, auxilia os projetistas a melhorar a eficiência dos equipamentos industriais, incluindo inversores fotovoltaicos (PV), estações de carregamento de veículos elétricos (VE) e fontes de alimentação comutada.
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