Cada componente possui duas saídas totalmente reguladas que podem ser programadas pelo utilizador com valores positivos e negativos assimétricos, ou com um único valor positivo ou negativo, para satisfazer os requisitos de uma vasta gama de tensões de acionamento de gate para IGBTs, MOSFETs de Si e SiC e células HEMT cascode de GaN. Por exemplo, o componente R12C2T25/R pode operar com uma entrada de 9-18 VCC e pode ser programado para uma saída de +18 V/-5 V para se adequar a um MOSFET de SiC. A temperatura de funcionamento varia de -40 °C a 100 °C, sendo que a capacitância diminui consoante a variante. A classificação de isolamento da série é de 5 kVCA/1 min reforçado e 1,4 kVCC em funcionamento, com uma capacitância de isolamento inferior a 3,5 pF e uma imunidade a dV/dt de 150 V/ns.
Inclui diversas características de controlo e proteção, como o bloqueio de entrada para subtensão e sobretensão, sobretemperatura, sobrecarga e subtensão e sobretensão de saída. Está disponível um pino de desativação, bem como um sinal de alimentação OK para indicar que as saídas estão dentro das tolerâncias aceitáveis e que o driver de gate pode operar em segurança.
"Estes módulos possuem todos os recursos necessários para gerar a tensão de polarização ideal para o driver de gate em todas as tecnologias de comutação comuns", afirma Matthew Dauterive, gestor de produto da RECOM.
Os componentes incluem uma garantia de três anos. As amostras e os preços para OEM estão disponíveis em todos os distribuidores autorizados ou diretamente na RECOM.
